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北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司
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北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司
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新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界**的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)*廣泛的 FIB-SEM 使用需求，即使是**挑戰(zhàn)性的樣品。
Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn)：**的材料對(duì)比度，*快、*簡單、*精確的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描（APT）以及**質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的**運(yùn)行狀態(tài)。
半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
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| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
| 樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像 | *終樣品制備 (TEM薄片，APT) | STEM 亞納米成像與樣品制備 | ||||
| SEM | 著陸電壓 | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV | |||
分辨率 | 0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV | ||||
| 1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV | |||||
| 1.0 nm@500 eV | ||||||
| STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
| FIB制備過程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
| *終**拋光電壓 | 2 kV | 500 V | ||||
| TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
| 自動(dòng)化 | 否 | 是 | 是 | |||
| 樣品處理 | 行程 | 110×110 ×65 mm | 110×110 ×65 mm | 150×150 ×10 mm | 100×100 ×20 mm | 100×100×20mm+5軸（S）TEM Compustage |
| 快速進(jìn)樣器 | 手動(dòng) | 自動(dòng) | 手動(dòng) | 自動(dòng) | 自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM 樣品桿 | |
材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù)：
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| Helios 5 CX | Helios 5 UX | ||
| 離子光學(xué) | 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒 | |
| 離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
| 加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
| **水平視場寬度 | 在束重合點(diǎn)處為0.9 mm | 在束重合處點(diǎn)為0.7 mm | |
| 離子源壽命 | 1,000 小時(shí) | 1,000 小時(shí) | |
| 兩級(jí)差分抽吸 | 兩級(jí)差分抽吸 | ||
| 飛行時(shí)間校準(zhǔn) | 飛行時(shí)間校準(zhǔn) | ||
| 15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
| 電子光學(xué) | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | |
| 磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
| 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | ||
| 電子束分辨率 | **工作距離下 | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
| 0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV | ||
| 1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) | ||
| 0.9 nm @ 1 kV 減速模式* | |||
| 在束流重合點(diǎn) | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV | |
| 1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS* | 1.2 nm @ 1 kV | ||
| 電子束參數(shù) | 電子束流范圍 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
| 加速電壓范圍 | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV | |
| 著陸電壓 | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV | |
| **水平視場寬度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD | |
| 探測器 | Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
| Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (ICD)* | |||
| Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)* | |||
| 樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD) | |||
| 紅外相機(jī) | |||
| 高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器 (SE)* | |||
| 樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機(jī)* | |||
| 可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)* | |||
| 可伸縮STEM 3+ 探測器* | |||
| 電子束流測量 | |||
| 樣品臺(tái)和樣品 | 樣品臺(tái) | 高度靈活的五軸電動(dòng)樣品臺(tái) | 壓電陶瓷驅(qū)動(dòng) XYR 軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái) |
| XY | 110 mm | 150 mm | |
| Z | 65 mm | 10 mm | |
| R | 360° (連續(xù)) | 360° (連續(xù)) | |
| 傾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° | |
| **樣品高度 | 與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 85 mm | 與優(yōu)中心點(diǎn)間隔 55 mm | |
| **樣品質(zhì)量 | 樣品臺(tái)任意位置 500 g | 樣品臺(tái)任意位置 500 g | |
| 0° 傾斜時(shí)** 5 kg | |||
| **樣品尺寸 | 直徑 110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí) | 直徑 150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí) | |
| 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | ||
更易于使用：
Helios 5 對(duì)所有經(jīng)驗(yàn)水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天，其系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作人員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。
提高了生產(chǎn)率：
Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進(jìn)自動(dòng)化功能，增強(qiáng)的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作，顯著提高樣品制備通量。
改善時(shí)間和結(jié)果：
Helios
5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH （閃調(diào)）技術(shù)。借助 FLASH
技術(shù)，您只需在用戶界面中進(jìn)行簡單的鼠標(biāo)操作，系統(tǒng)即可“實(shí)時(shí)”進(jìn)行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言，F(xiàn)LASH
技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時(shí)間*多縮短 10 倍。
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企業(yè)名稱
北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司企業(yè)類型
信用代碼
9111 0101 695 015 46XA法人代表
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