中國粉體網訊  據日經XTECH消息，來自名古屋大學的初創(chuàng)企業(yè)U-MAP開發(fā)了一種打破常識的新型散熱材料——纖維狀氮化鋁基板及墊片，基板用于功率半導體和激光器等的封裝，墊片用于CPU等的散熱。

基于現階段電子芯片的綜合性能越來越高、整體尺寸越來越小的發(fā)展情況，電子芯片工作過程中所呈現出的熱流密度同樣大幅提升。對于電子器件而言，通常溫度每升高10℃，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，提高器件散熱能力至關重要。

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然而，提高器件散熱能力離不開高導熱的封裝材料。陶瓷材料本身具有熱導率高、耐熱性好、高絕緣、高強度、與芯片材料熱匹配等性能，非常適合作為電子器件散熱材料。目前常用電子封裝散熱材料主要有氧化鋁、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹等。

但氧化鋁、碳化硅、氧化鈹等材料作為導熱材料性能一般，潛力不大。目前最受矚目的散熱材料當屬氮化鋁和氮化硅。氮化硅陶瓷性能較為全面，在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，其抗彎強度高(大于800MPa)，耐磨性好，被稱為綜合機械性能最好的陶瓷材料。氮化鋁陶瓷理論熱導率可達320W/（m·K），其商用產品熱導率一般為180W/（m·K）~260W/（m·K），但是其機械強度相比氮化硅陶瓷略遜一籌。

對此，日本初創(chuàng)企業(yè)U-MAP將纖維狀的AlN單晶體“Thermalnite”填充制成基板，在保持高導熱率的情況下提高了機械強度。通過這種方法，使其“斷裂韌性”達到5.5MPa·m ^1/2，是普通AlN基板的約兩倍，與Si₃N₄接近，導熱率達到200W/m·K以上。

此外，將該纖維狀氮化鋁材料添加到普通的TIM（熱界面材料） 墊片中可使其機械強度增加到接近原來2倍，因此可對墊片實現減薄，普通TIM墊片的厚度為0.5mm左右，而開發(fā)品的厚度只有0.2mm，這可在原有高導熱特性基礎上實現進一步的提高導熱性。

據悉，U-MAP將于2024年量產AlN基板，生產將由合作伙伴岡本硝子進行。TIM墊片的產品化也正不斷推進，計劃2023年內供貨樣品。據說最快2024年下半年實現量產。

參考來源：日經XTECH

（中國粉體網編輯整理/山川）

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