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碳化硅激光垂直剝離設(shè)備品牌
北京晶飛產(chǎn)地
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加工材料 SiC晶錠
切割尺寸(inch) 4/6/8/
**切割厚度(mm) 50
材料損耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重復(fù)定位精度(μm) ±0.5
長寬高(mm) 1770×1720×1985
加工工藝
碳化硅激光垂直剝離設(shè)備采用的加工工藝是使用激光剝離取代傳統(tǒng)的線切割模式
加工效果
 |  |
| 剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓 | 垂直剝離后8英寸導(dǎo)電型晶錠與晶圓 |
技術(shù)規(guī)格
暫無數(shù)據(jù)！
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