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碳化硅（SiC）具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導(dǎo)熱、抗氧化性以及高強(qiáng)度、低密度、介電性能可設(shè)計(jì)等優(yōu)異特性，是極具應(yīng)用潛力的導(dǎo)熱吸波型材料。在半導(dǎo)體材料中，碳化硅的高導(dǎo)熱系數(shù)奠定了其在第三代半導(dǎo)體材料中的主導(dǎo)地位，碳化硅器件可在高溫下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作，促進(jìn)了其在新一代芯片技術(shù)和導(dǎo)熱散熱技術(shù)領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。

在剛剛過去的2024年，碳化硅加速滲透到更多領(lǐng)域。在降本提效刺激下，全球碳化硅行業(yè)在2024年維持著“增資擴(kuò)產(chǎn)”的熱潮，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)競(jìng)相作出新動(dòng)作，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷向前邁進(jìn)。

西安博爾新材料有限責(zé)任公司：SiC 領(lǐng)域先鋒

西安博爾新材料有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“博爾新材料”）憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新精神，在SiC微粉研發(fā)生產(chǎn)賽道上一馬當(dāng)先，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。

博爾新材料是專門從事高品質(zhì)碳化硅（SiC）微粉研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，也是全球首家突破技術(shù)壁壘，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)外空白，自主發(fā)明實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)立方碳化硅（3C-SiC/β-SiC）微粉的專業(yè)企業(yè)。博爾擁有國(guó)內(nèi)一流的粉體制造、加工與測(cè)試儀器設(shè)備和高技術(shù)陶瓷研發(fā)與生產(chǎn)裝備。主營(yíng)產(chǎn)品立方碳化硅于2018年、2019年分別列入陜西省工信廳和國(guó)家工信委重點(diǎn)新材料目錄，其系列產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到世界領(lǐng)先水平，在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)享有盛名。

博爾新材料生產(chǎn)的高品質(zhì)SiC粉體系列產(chǎn)品在半導(dǎo)體芯片、電子封裝、導(dǎo)熱散熱、吸波、精細(xì)研磨、高技術(shù)陶瓷、涂層鍍層等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。產(chǎn)品除滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求外，還大量出口美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)和日本等國(guó)。

博爾主營(yíng)產(chǎn)品概覽

1、立方碳化硅

立方碳化硅（也稱3C-SiC或β-SiC）性能優(yōu)異，應(yīng)用廣泛，是各國(guó)高技術(shù)領(lǐng)域普遍關(guān)注的戰(zhàn)略性高新技術(shù)材料，全球稀有，批量生產(chǎn)在國(guó)內(nèi)尚屬空白。博爾新材料團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)30年研發(fā)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)，利用工業(yè)原料可一次性大批量合成立方SiC微粉和晶須兩種高端產(chǎn)品，打破了國(guó)外立方碳化硅技術(shù)壟斷、填補(bǔ)我國(guó)在這類材料生產(chǎn)方面的技術(shù)空白。目前公司已在西安閻良航空基地購地40畝進(jìn)行成果轉(zhuǎn)化，為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。項(xiàng)目總投資2.2億元，總產(chǎn)能為3000噸。

產(chǎn)品粒度范圍有：100nm-120μm，產(chǎn)品規(guī)格有近三十種，基本粒含量均超過60%；堆積密度可達(dá)2.2g/cm³；產(chǎn)品純度可達(dá)5N-6N。

2、半導(dǎo)體制造用高純超細(xì)立方SiC微粉

由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(xì)(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經(jīng)氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在軍工、航天、航空、電子行業(yè)等高尖端領(lǐng)域用來替代電子級(jí)單晶硅和多晶硅，成為當(dāng)前高科技領(lǐng)域公認(rèn)的第三代半導(dǎo)體材料和LED等應(yīng)用的電子封裝、基板材料。

3、立方SiC導(dǎo)熱吸波粉

△產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)如下：

• 棱角鈍化，形貌規(guī)整，填充性能好、穩(wěn)定性好、易于形成更多的導(dǎo)熱通道。

• 比表面積小，吸油值低、流動(dòng)性好。

• 粒度分布窄，顆粒集中度比國(guó)標(biāo)至少提高10%以上。

• 堆積密度高，最高可達(dá)2.2g/cm³。

• 純度高，SiC純度可達(dá)4N~5N～6N。

• 吸波性能良好、介電性能可調(diào)。

• 性價(jià)比高，可用于6-8W及以上的導(dǎo)熱產(chǎn)品。

  
  

應(yīng)用領(lǐng)域

精細(xì)研磨、拋光

立方SiC和納米SiC作為精拋材料，是電子、醫(yī)學(xué)、測(cè)量、軍工、航天航空高精密光學(xué)鏡片精拋時(shí)的選材之一，用于各類軸承磨拋的油石產(chǎn)品制造。目前已大量代替進(jìn)口材料。

國(guó)防軍工

用立方SiC微粉、晶須和納米新材料制作的各類裝甲、防彈板、防彈衣等具有優(yōu)良的高硬度、高抗壓和彈性模量和卓越的抵抗高速射彈的彈道能力，在裝甲、坦克的軸承、發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒器，戰(zhàn)斗機(jī)、轟炸機(jī)、航母、潛艇等的高性能雷達(dá)天線材料和紅外線整流罩方面應(yīng)用廣泛。作為吸波材料，立方SiC微粉和晶須也有廣闊的應(yīng)用前景。

航空航天

立方SiC微粉、晶須和納米材料擁有其它的材料無法比擬的優(yōu)異的抗腐蝕性、高熱導(dǎo)率和高強(qiáng)度等性能，在燃燒器電池、燃燒系統(tǒng)和閥門、高溫電力輔助構(gòu)件、封蓋、骨架和保溫系統(tǒng)等方面有非常廣泛的應(yīng)用。

半導(dǎo)體電子工業(yè)

超高純度的立方SiC微粉和納米SiC產(chǎn)品因其優(yōu)良的半導(dǎo)電性能和熱學(xué)性能使其在高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件和紫外探測(cè)器、短波長(zhǎng)發(fā)光二極管、高溫及抗輻射數(shù)字集成電路等方面成為很有吸引力的新材料。作為SiC單晶、SiC靶材料的高級(jí)原料等更有廣闊的應(yīng)用前景，作為電子封裝材料也已受到業(yè)界的青睞。

科研與成果轉(zhuǎn)化

由博爾新材料與西安科技大學(xué)聯(lián)合共建的陜西省“四主體一聯(lián)合”硅鎂碳微納米材料工程技術(shù)工程中心，根據(jù)博爾新材料的發(fā)展需求、投資重點(diǎn)和市場(chǎng)特色，結(jié)合硅鎂碳行業(yè)近10年的發(fā)展趨勢(shì)尤其是高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展需求，以硅鎂碳微納米材料與應(yīng)用為主要研究對(duì)象，開展相關(guān)中試規(guī)模的研究，建設(shè)中試平臺(tái)。工程中心一直秉持科研成果的系統(tǒng)化、配套化、工程化、產(chǎn)業(yè)化和市場(chǎng)化一條龍開發(fā)思路，在閻良航空基地投資1.8億元建設(shè)3000T/年產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線。近三年新增研發(fā)投入1200余萬元，自主研發(fā)了高端碳化硅導(dǎo)熱吸波粉，經(jīng)下游用戶驗(yàn)證，性能優(yōu)于日本等進(jìn)口產(chǎn)品，為我國(guó)高端導(dǎo)熱吸波開發(fā)應(yīng)用提供了高端原材料國(guó)產(chǎn)化保障。憑借卓越表現(xiàn)，該中心已榮獲陜西省科技廳“優(yōu)秀”評(píng)級(jí)肯定。

參考來源：

中國(guó)電子報(bào)、秦科技

西安博爾新材料有限責(zé)任公司官網(wǎng)、官微、粉體網(wǎng)企業(yè)展臺(tái)