中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，其晶圓尺寸的演進一直是產(chǎn)業(yè)降本增效的關(guān)鍵路徑。當前產(chǎn)業(yè)動態(tài)呈現(xiàn)出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發(fā)展格局，技術(shù)迭代速度遠超預期。

浙江晶瑞：實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長

5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好。

浙江晶瑞首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶

浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐以及持續(xù)迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長溫場設(shè)計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。

浙江晶瑞SuperSiC始終專注于碳化硅、藍寶石等化合物半導體材料的研發(fā)生產(chǎn)與銷售，致力于為功率半導體器件提供高品質(zhì)的襯底和熱沉材料。目前，公司自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)批量生產(chǎn)，其8英寸導電型碳化硅襯底，憑借微管密度（MP<0.05ea/cm2）和位錯密度（TSD<10ea/cm2, BPD<300ea/cm2）的低缺陷技術(shù)指標，成為高壓功率器件的理想選擇。

南砂晶圓：發(fā)布12英寸導電型SiC襯底

近日，南砂晶圓展示了12英寸導電型SiC襯底等重點產(chǎn)品。

值得注意的是，南砂晶圓還成功實現(xiàn)了近“零螺位錯”密度和低基平面位錯密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。這一技術(shù)進步不僅提升了產(chǎn)品的可靠性和性能，也為國產(chǎn)8英寸導電型襯底的產(chǎn)業(yè)化進程奠定了堅實基礎(chǔ)。

2018年，依托山東大學晶體材料國家重點實驗室徐現(xiàn)剛教授團隊的技術(shù)成果，南砂晶圓于廣州市南沙區(qū)注冊成立。目前擁有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成了完整的碳化硅單晶生長和襯底制備生產(chǎn)線，產(chǎn)品還包括6英寸和8英寸的導電型和半絕緣型碳化硅襯底。

山東力冠：加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長晶設(shè)備

近日，山東力冠在12英寸SiC長晶爐領(lǐng)域取得了重要突破。公司公開表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺設(shè)備的交付。同時，該公司正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長晶設(shè)備。隨著12英寸電阻法長晶系統(tǒng)的商業(yè)化突破，山東力冠計劃在2025年實現(xiàn)12英寸設(shè)備的批量供貨，助力國產(chǎn)碳化硅材料進入全球供應(yīng)鏈第一梯隊。

公司自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長晶爐已實現(xiàn)批量銷售，涵蓋感應(yīng)加熱與電阻加熱兩種技術(shù)路線，可靈活適配導電型與半絕緣型碳化硅晶體的生長需求。

山東力冠自成立以來，始終聚焦半導體材料工藝裝備的研發(fā)與生產(chǎn)。公司研發(fā)團隊匯聚了半導體材料、熱場設(shè)計、精密加工等領(lǐng)域的專家型人才，形成了覆蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備的完整產(chǎn)品線，包括PVT單晶生長設(shè)備、HVPE設(shè)備、SiC籽晶粘接設(shè)備等核心產(chǎn)品。

來源：各企業(yè)官微

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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