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金剛石:半導(dǎo)體領(lǐng)域再“邁”一步


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  業(yè)界對金剛石的關(guān)注程度越來越高,優(yōu)勢資源不斷匯集,也加速了研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化速度。

中國粉體網(wǎng)訊  近兩年,金剛石逐漸成為了半導(dǎo)體行業(yè)的熱點。



金剛石作為寬禁帶甚至超寬帶隙半導(dǎo)體材料的一員(禁帶寬度5.5 eV),具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì),如高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高載流子飽和速率和低介電常數(shù)等。作為集優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)、熱學(xué)和化學(xué)等特性于一身的超寬禁帶半導(dǎo)體,金剛石被譽為“終極半導(dǎo)體材料”、“終極室溫量子材料”。


目前,業(yè)界對金剛石的關(guān)注程度越來越高,優(yōu)勢資源不斷匯集,也加速了研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化速度。


金剛石又“長大”了


8月1日,寧波晶鉆科技股份有限公司研制出產(chǎn)品尺寸60mm×60mm,長邊尺寸72.29mm CVD大尺寸同質(zhì)外延金剛石襯底。換算成半導(dǎo)體行業(yè)晶圓單位約3.35英寸。這不僅刷新了該企業(yè)的記錄,而且也是目前已知全球尺寸最大的一顆人造單晶金剛石。


 

晶鉆科技生產(chǎn)的同質(zhì)外延單晶金剛石產(chǎn)品


CVD金剛石與天然金剛石相比更加地干凈,幾乎沒有任何雜質(zhì),且具有極高的擊穿電場、極高的飽和載流子速度及遷移率、低的介電常數(shù)等優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)。因此CVD金剛石材料目前已在半導(dǎo)體領(lǐng)域中獨占鰲頭。


據(jù)了解,該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長技術(shù)。微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)是行業(yè)公認(rèn)的制備大尺寸、高品質(zhì)單晶金剛石的最佳手段之一,目前主要有同質(zhì)外延、異質(zhì)外延兩種技術(shù)路線。相比于異質(zhì)外延生長,同質(zhì)外延技術(shù)的優(yōu)勢在于其晶體質(zhì)量高,內(nèi)應(yīng)力和位錯密度低,同時能生長出較大的籽晶原料,從而提高面積增加效率,但技術(shù)也極具挑戰(zhàn)性。


晶鉆科技在金剛石“長大”這件事上一直在突破,自2014年制備出第一顆CVD單晶金剛石以來,歷經(jīng)10余次技術(shù)迭代,已量產(chǎn)2英寸CVD單晶金剛石。2023年底,成功制備出3英寸CVD單晶金剛石,目前也已穩(wěn)定批量化生產(chǎn)。如今產(chǎn)品再次升級,尺寸突破3.35英寸,并正在向4英寸以上單晶金剛石制備發(fā)起沖刺。


新技術(shù)助力金剛石“成長“加速度


近日,東京理工大學(xué)利用液態(tài)微波等離子體化學(xué)氣相沉積法(IL-MPCVD)在高壓低功率條件下也可以制備出金剛石材料。




金剛石是一種具有優(yōu)異性能的極限性超硬多功能材料,人工合成的金剛石可通過摻雜的方式使其具有各種獨特的性質(zhì);瘜W(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)是將雜質(zhì)摻入金剛石晶格中的最有效方法。


通過CVD技術(shù),P型摻硼金剛石(BDD)已成功實現(xiàn),從而在半導(dǎo)體到超導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變方面取得了突破。磷摻雜金剛石(PDD)具有優(yōu)異的性能,因此適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,但由于施主能級較深,N型摻磷金剛石(PDD)面臨低摻磷效率的挑戰(zhàn)。


盡管其潛力巨大,但高成本和低摻磷效率限制了PDD的實際應(yīng)用,為了充分利用PDD的優(yōu)勢,必須開發(fā)出能夠在高摻磷濃度下實現(xiàn)快速生長的新技術(shù)。這些進(jìn)步將顯著提高PDD的生產(chǎn)效率,并擴(kuò)大其在尖端技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。


近年來,液相微波等離子體CVD(IL-MPCVD)作為一種高增長率的CVD技術(shù),受到了廣泛關(guān)注。據(jù)報道,該團(tuán)隊用于金剛石材料沉積的反應(yīng)混合物由甲醇(MeOH)和乙醇(EtOH)與三乙基磷酸酯((C2H5)3PO4)組成,其中磷碳比為1000 ppm。他們利用IL-MPCVD在高壓(60 kPa)和低功率(440 W)條件下實現(xiàn)了多晶PDD的高速合成,生長速率達(dá)到280 μm/h,這比傳統(tǒng)的CVD方法高出兩個數(shù)量級。


該研究成果表明,L-MPCVD在高效合成金剛石方面具有巨大的潛力。該技術(shù)不僅提高了生長速率,還能更好地控制摻雜過程,這對于調(diào)整金剛石薄膜的電學(xué)和電化學(xué)性能至關(guān)重要。這為金剛石材料在先進(jìn)電子、高功率設(shè)備和電化學(xué)應(yīng)用中的應(yīng)用開辟了新的可能性。


來源:DT半導(dǎo)體、晶鉆科技、半導(dǎo)體材料行業(yè)分會


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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