中國粉體網(wǎng)訊  近日，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程國際化示范學(xué)院/材料復(fù)合新技術(shù)國家重點實驗室麥立強教授團隊利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學(xué)活化過程中電導(dǎo)的連續(xù)演化，研究并證實了新形成的氧化物與P-O基團之間的誘導(dǎo)電子耦合。

該團隊認為這種獨特的片上電化學(xué)微器件平臺也可以應(yīng)用于其他相關(guān)領(lǐng)域，以了解納米尺度下能量材料的動態(tài)行為。相關(guān)成果發(fā)表在《Nano Energy》上。

該研究通過設(shè)計一種基于單個P1-Co₃O₄薄膜的平面電化學(xué)微器件，首次測量了重構(gòu)晶格磷摻雜Co₃O₄的電導(dǎo)，建立了重構(gòu)過程中摻磷Co₃O₄的本征電導(dǎo)與電化學(xué)活性之間的關(guān)系，明確了本征電導(dǎo)對P摻雜Co₃O₄催化活性的影響。

該研究還基于這種獨特的微器件平臺，通過原位I-V測量，實時監(jiān)測了重構(gòu)晶格磷摻雜Co₃O₄在OER過程中的電阻，并發(fā)現(xiàn)在高電位下，重構(gòu)的晶格磷摻雜Co₃O₄比原始合成的Co₃O₄具有更快的電荷轉(zhuǎn)移動力學(xué)。

此外，該研究認為這種獨特的片上電化學(xué)微器件平臺也可以應(yīng)用于其它相關(guān)領(lǐng)域，以了解納米尺度下能量材料的動態(tài)行為。

值得一提的是，原位芯片為此次Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶體結(jié)構(gòu)的表征提供了氮化硅支撐膜。

據(jù)介紹，原位芯片的氮化硅膜最薄可至10nm，在保證超平整、超潔凈的質(zhì)量要求前提下，同時具有良好的機械強度，耐高溫特性以及表面導(dǎo)熱性。該研究正是利用了氮化硅膜的這些優(yōu)良特性，利用TEM透射電鏡對Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶體結(jié)構(gòu)進行了表征。

據(jù)原位芯片官方消息，其自主研發(fā)的優(yōu)質(zhì)氮化硅薄膜窗口，為每一次實驗提供高效的觀測體驗。產(chǎn)品主要應(yīng)用于：SEM、TEM、X-Ray 顯微鏡觀測實驗。同時，原位芯片可用于觀測液體環(huán)境的氮化硅薄膜觀測窗口，更是打破國際壟斷，成為少數(shù)擁有生產(chǎn)液體芯片的公司之一。原位芯片在提供標準品的同時，也提供氮化硅薄膜窗口的定制服務(wù)，助力實現(xiàn)更多科研可能。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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