中國粉體網(wǎng)1月22日訊  1月20日，泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司在京宣布，經(jīng)過兩年攻關(guān)碳化硅肖特基二極管多個產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V—3300V等中高壓范圍。這是國內(nèi)第一次進(jìn)行碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn)，在以美國歐洲日本為主導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域中打開了關(guān)鍵的突破口。

　　作為最有廣闊發(fā)展前景“一種未來的材料”，碳化硅屬于“寬禁帶”的第三代半導(dǎo)體，以此為材料的功率器件具有更低的寄生電阻，更大的電流密度和更快的開關(guān)速度，在提高能源利用方面較目前的硅基器件有著無與倫比的優(yōu)勢，將從本質(zhì)上提高電力傳送效率和使用效率，可以在高壓、高頻、大電流環(huán)境下工作，廣泛應(yīng)用于航空航天、無線通信和雷達(dá)、電力系統(tǒng)、電動汽車、白色家電等領(lǐng)域。泰科天潤本次的技術(shù)突破和量產(chǎn)成功對于振興國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)，追趕國際先進(jìn)技術(shù)，實現(xiàn)關(guān)鍵器件自主供給，搶占國內(nèi)市場具有重要戰(zhàn)略意義。

　　據(jù)泰科天潤總經(jīng)理陳彤介紹，第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件行業(yè)已經(jīng)被列入國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。國家863計劃2014年備選項目征集指南中明確指出，開展第三代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)，器件的制備以及研制電力電子芯片和器件等的科研計劃，用以打破國際上的技術(shù)壟斷。