推薦SiC單晶片切不好，后面都“白扯”

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底占器件總成本的47%，因此降低晶體缺陷，提升襯底良率是助推實(shí)現(xiàn)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的主要途徑，良率提升重點(diǎn)在于晶體生長(zhǎng)與切割環(huán)節(jié)。目前行業(yè)內(nèi)主要以高純碳粉、高純硅粉為原料合成碳化硅粉[更多]