推薦氮化硅薄膜——集成電路制造至關(guān)重要的介質(zhì)材料

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶絕緣物質(zhì)，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅膜，具有對(duì)可動(dòng)離子阻擋能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小、化學(xué)穩(wěn)定性好、介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作[更多]