推薦實現(xiàn)4寸結晶成長，GaN基板將提早量產

中國粉體網訊 據(jù)日本化學工業(yè)日報報道，三菱化學與日本制鋼所合作研發(fā)的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術，經確認結晶成長已達4寸。氮化鎵是鎵與氮的化合物，是實現(xiàn)超高效率元件的關鍵材料，業(yè)界相當期待正式普[更多]