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F2000 集成電路前道晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備品牌
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晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備具有明場(chǎng)DIC、暗場(chǎng)和先進(jìn)的AI技術(shù)。F2000可檢測(cè)裸片和外延片表面的顆粒和劃痕等缺陷。其性能與KLA SP1相當(dāng)。該工具應(yīng)用于HVM晶圓制造和IC Fab中各種前端工藝節(jié)點(diǎn)的檢測(cè)，以提高芯片生產(chǎn)的良率。
設(shè)備描述 Features
晶圓搬運(yùn) | EFEM: 6” / 8” SMIF or 12” FOUP |
晶圓類(lèi)型 | 不透明晶圓，如裸硅片、氧化物、氮化物等 |
晶圓翹曲 | 不大于100um |
晶圓厚度 | 350um~1.5mm（在晶圓底部打開(kāi)并夾持） |
照明系統(tǒng) | 斜入射暗場(chǎng)，微分干涉明場(chǎng) |
非圖形化晶圓顆粒檢測(cè)靈敏度 | 51nm |
檢測(cè)缺陷分類(lèi) | Particle, scratch, pit, bump, Haze map |
工藝節(jié)點(diǎn) | 90,130nm |
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