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分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)品牌
鵬城半導(dǎo)體產(chǎn)地
廣東樣本
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分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備（MBE)（分子束外延MBE）該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝，實(shí)現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造。
分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境，是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng)，它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)設(shè)備，分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ，配置合理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，技術(shù)先進(jìn)，性能可靠，用途多，實(shí)用性強(qiáng)，價(jià)格相對(duì)較低，可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn)、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。
功能特點(diǎn)
本項(xiàng)目于2005年在國(guó)內(nèi)率先完成了成套MBE的全國(guó)產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)和制造，做到自主可控。自主設(shè)計(jì)MBE超高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺(tái)、膜厚儀（可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù)）等核心部件。
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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