作為*早將激光共焦顯微鏡應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的開拓者和實(shí)踐者，OLYMPUS在工業(yè)的激光共焦應(yīng)用領(lǐng)域積累了獨(dú)到的技術(shù)，并推出了**的產(chǎn)品OLS4000 。
一、主機(jī)性能
* 激光自動(dòng)聚焦，對(duì)焦快速而精確；
* 自動(dòng)六孔物鏡換鏡轉(zhuǎn)盤，可配套多種物鏡；
* 標(biāo)準(zhǔn)配套100x100 mm 超聲波電動(dòng)載物臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)*多500幅圖像自動(dòng)拼圖；
* 標(biāo)準(zhǔn)配套5×、10×、20×、50×和100×物鏡，其中20×、50×和100×物鏡均為405nm專用復(fù)消色差物鏡；
* 水平方向分辨率可達(dá)0.12μm，Z軸方向分辨率達(dá)0.01μm；
* 激光可以實(shí)現(xiàn)激光共焦、激光共焦微分干涉等觀察方式；
* 激光光源為405nm半導(dǎo)體激光器，安全等級(jí)CLASS2；
* 普通光源為3W 高亮LED光源；
* 激光圖像感應(yīng)裝置為Photo multiplier（光電倍增管）；
* 微鏡調(diào)焦采用物鏡升降的方式，而非常見的載物臺(tái)升降調(diào)焦的方式，可以**程度保證鏡體的穩(wěn)定性；
* 主機(jī)具有自動(dòng)防震功能，不需搭配防震臺(tái)使用；
* “一鍵”拍攝功能，只一個(gè)按鍵即可自動(dòng)拍攝照片；
* 豐富多彩的2D/3D圖像顯示方式，3D圖像通過鼠標(biāo)操控可自由旋轉(zhuǎn)和放大；
* 自動(dòng)報(bào)告生成功能；
* 數(shù)字圖像處理，可以實(shí)現(xiàn)邊緣增強(qiáng)、對(duì)比增強(qiáng)、濾波、剖面校正、快速傅立葉變換等功能；
* 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)傾斜的樣品校正水平；
* 自帶操作軟件可以實(shí)現(xiàn)中、英、日、德、韓五種語言選擇 * 具備豐富的測(cè)量功能：可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)度、高度、面積、體積、粗糙度、膜厚、顆粒等多種測(cè)量； 二、主要功能
1、微觀二維形態(tài)圖像(2-D Morphologic)獲取
以405nm短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光為光源，通過顯微鏡內(nèi)高精度掃描裝置對(duì)樣品表面的二維掃描，獲得水平分辨率高達(dá)0.12μm的表面顯微圖像，同時(shí)通過CCD采集彩色圖像信息，合成高分辨率真彩色形態(tài)（Morphologic）圖像。目前，OLYMPUS采用**開發(fā)的MEMS（微機(jī)電）工藝制造的掃描系統(tǒng)，不僅壽命很長(zhǎng)，而且精度更加可靠。
2、微觀三維形態(tài)圖像（3-D Morphologic）獲取
通過顯微鏡高精度步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和0.8nm光柵控制的聚焦裝置，運(yùn)用共聚焦技術(shù)（Confocal），逐層獲取樣品各個(gè)二維圖像和焦面的縱向空間坐標(biāo)。經(jīng)計(jì)算機(jī)處理，將各個(gè)焦平面的顯微圖像疊加，獲得樣品表面的三維真實(shí)形態(tài)（近似SEM掃描電鏡的Morphologic圖像）。
3、微觀三維輪廓與地形圖像（3-D Profile，3-D Topography）獲取
將掃描獲得的樣品表面各個(gè)點(diǎn)的三維空間坐標(biāo)經(jīng)計(jì)算機(jī)處理后，可獲得垂直分辨率0.01μm的三維輪廓圖像（近似三維表面形貌儀的圖像）和三維地形圖像（近似AFM 原子力顯微鏡的圖像）。
4、多種測(cè)量功能
可以測(cè)量亞微米級(jí)的線寬、面積、體積、臺(tái)階、線與面粗糙度、透明膜厚，幾何參數(shù)等測(cè)量數(shù)據(jù)。可作為高精度測(cè)量設(shè)備，符合國(guó)際計(jì)量追溯體系（ISO）。附加金相插件，可做金相分析。
5、OLS4000具備常規(guī)顯微鏡的功能，多種觀察方法：BF，DIC。可升級(jí)到原子力顯微鏡（AFM）。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
1、材料科學(xué)
新材料研發(fā)，缺陷分析，失效分析，傳統(tǒng)金相分析。在材料行業(yè)中，定位于**端的金相顯微鏡，具有分辨率高、制樣要求、同時(shí)可以做3D分析等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)由于可以增加熱臺(tái)和金相分析軟件，基本可以涵蓋高端金相的應(yīng)用要求。
2、摩擦學(xué)、腐蝕等表面工程
磨痕的體積測(cè)量，粗糙度測(cè)量，表面形貌，腐蝕以及亞微米表面工程后的表面形貌。
3、MEMS
微米和亞微米級(jí)部件的尺寸測(cè)量（深度測(cè)量*適合范圍：0.05μm到3mm，線寬測(cè)量*適合范圍1μm-1.5mm），
各種工藝（顯影、刻蝕、金屬化、CVD、PVD、CMP等）后表面形貌觀察，缺陷分析，透光膜厚測(cè)量（*適合范圍1.0mm-1.0μm）。
4、半導(dǎo)體/LCD
各種工藝（顯影、刻蝕、金屬化、CVD、PVD、CMP等）后表面形貌觀察，缺陷分析非接觸型的線寬，臺(tái)階深度等測(cè)量，及GOLD BUMP的高度與表面粗糙度。
5、精密機(jī)械部件，電子器件
微米和亞微米級(jí)部件的尺寸測(cè)量，各種表面處理、焊接工藝后的表面形貌觀察，缺陷分析，顆粒分析。
6、高精密PCB制造
1) 激光鉆孔后的孔徑測(cè)量(亞微米到微米)，底部粗糙度，形貌觀察。
2) 銅線高度(2-3μm)，線寬(10-20μm或更細(xì))
3) 基板表面粗糙度，三維形貌。
7、化學(xué)薄膜（高分子等）厚度測(cè)量、膜表面粗糙度測(cè)量
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