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儀器簡介：

JEM-ARM200F的電子光學系統(tǒng)標準配備了一體化的球差校正器， 其掃描透射像分辨率(STEM-HAADF)達到了0.08nm，為商用透射電子顯微鏡分辨率的世界之*。

保證0.08nm的世界**STEM (HAADF) 分辨率

ARM200F為電子光學系統(tǒng)標準配備了一體化球差校正器，電氣和機械性能的穩(wěn)定性也達到極限水平， 使掃描透射像(STEM-HAADF)分辨率達到0.08nm， 成為商用透射電子顯微鏡中的世界之*。電子束在像差校正之后， 束流密度比傳統(tǒng)的透射電子顯微鏡高出一個數量級。因為束流更亮更細、電流密度高， ARM200F能夠在進行原子水平分析的同時， 還能縮短檢測時間和提高樣品處理能力。

電氣穩(wěn)定性的提高

要達到原子水平的分辨率， 控制電子光學系統(tǒng)的電源需要穩(wěn)定。ARM200F把高壓和物鏡電流變動降低到傳統(tǒng)透射電子顯微鏡50%， 大幅度地提高了電氣的穩(wěn)定性。

機械穩(wěn)定性的提高

照射系統(tǒng)和成像系統(tǒng)采用像差校正器，實現(xiàn)原子水平的分析和成像，需要控制原子水平的振動和變形。 ARM200F整體機械強度比傳統(tǒng)透射電子顯微鏡增大兩倍，通過增大鏡筒尺寸，提高了剛度，優(yōu)化了操作臺結構，增強了機械的穩(wěn)定性。

高擴展性的STEM 分析能力

暗場檢測器因STEM檢測角度的不同有兩種類型(其中一種為標配)， 它和明場檢測器(標準配備)， 背散射電子檢測器 (選配件) 可以同時安裝。新的掃描成像獲取系統(tǒng)能夠同時收集4種不同類型的信號， 可以同時觀察這4種圖像。

環(huán)境對策

裝置設置室的溫度變化和雜散磁場也能引起原子水平的振動和變形。為降低外部影響，ARM200F特別標配了熱屏蔽和磁屏蔽系統(tǒng)。另外，對鏡筒加外売覆蓋以免受周圍空氣對流所引起的鏡筒表面溫度變化的影響。

用于成像系統(tǒng)的球差校正器 （選配件）

使用選配的成像系統(tǒng)球差校正器， 透射電子顯微鏡的圖像(TEM)分辨率能提高到0.11 nm。

JEM-ARM200F 規(guī)格

分辨率
掃描透射像1)	0.08 nm2) (加速電壓為200kV時)
透射像 點分辨率 線分辨率	0.19 nm (加速電壓為200kV時) 0.11 nm （使用成像系統(tǒng)球差校正器3)， 加速電壓為200kV時) 0.10 nm

放大倍率
掃描透射像	200 至 150，000，000x
透射像	50 至 2，000，000x
電子槍	肖特基場發(fā)射槍
加速電壓	80 至 200 kV4)

樣品臺
樣品臺	全對中側插式測角臺
樣品尺寸	直徑3mm
樣品傾斜角	**25°(使用雙傾臺)
移動范圍	X/Y:±1.0mm(馬達驅動)

球差校正器
照明系統(tǒng)的球差校正器(STEM)	標準配置
成像系統(tǒng)的球差校正器(TEM)	選配件
選配件	能譜儀(EDS) 電子能量損失譜儀 (EELS) CCD 相機等

1. 使用HAADF (高角度環(huán)形暗場)檢測器

2. 測試標樣Ge(112)情況下保證.

3. 選配件

4. 標準電壓: 120 kV， 200 kV

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