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MP5522型系列蓋革模式InGaAs 單光子雪崩光電二極管
2 產(chǎn)品特性The features
專(zhuān)為單光子探測(cè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，蓋革模式工作
響應(yīng)光譜范圍1000nm-1650nm
2 應(yīng)用領(lǐng)域Applications
量子通信
時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)
光時(shí)域反射計(jì)
3D 成像
激光測(cè)距
DNA測(cè)序
光學(xué)相干層析
熒光檢測(cè)及其光譜分析
光電性能The opto-eletronic characteristics
靜態(tài)參數(shù)（@Tc=22±3℃） | ||||||
特性參數(shù)Parameters | 符號(hào) Sym. | 測(cè)試條件Test conditions | *小Min | 典型Typ | ** Max | 單位 Unit |
光譜響應(yīng)范圍 Response Spectrum | λ | — | 1000～1650 | nm | ||
響應(yīng)度 Reponsivity | Re | λ=1.55μm，VR=VBR-2V，φe=1μw | 10 | 14 | A/W | |
反向擊穿電壓 Reverse breakdown voltage | VBR | ID=10mA，Tc=22℃ | 65 | 75 | V | |
工作電壓溫度系數(shù) Operating voltagetemperature coefficient | γ | Tc=-60～+30℃，ID=10mA | 0.1 | V/℃ | ||
暗電流 Dark current | ID | φe=0μw，VR=VBR-2V | 3.0 | nA | ||
結(jié)電容 Total capacitance | Ctot | 1MHz，VR=VBR-2V | 0.2 | pF | ||
蓋革模式下性能參數(shù) | ||||||
參數(shù) Parameter | 測(cè)試條件 Test conditions | MP5512Y/MP5522Y | MP5513Y/MP5523Y | 單位 Unit | ||
*小值 Min | **值 Max | *小值 Min | **值 Max | |||
暗計(jì)數(shù)率(DCR) | fgate=50kHz，Tgate=10ns，SPDE=10% | 10 | 3 | kHz | ||
單光子探測(cè)效率(SPDE) | fgate=fpulse=50kHz，Tgate=10ns， DCR=10kHz，λ=1.55μm， 0.1 photon per pulse | 10 | 20 | % | ||
后脈沖概率(APP) | @2us， fpulse=50kHz， Tgate=10ns， SPDE=10%， λ=1.55μm， 0.1 photon per pulse | 2 | 2 | % | ||
測(cè)試條件補(bǔ)充說(shuō)明： 1 MP5512Y/MP5522Y測(cè)試溫度為TA= -35℃，MP5513Y/MP5523Y測(cè)溫度為TA= -43℃ 2過(guò)偏壓Vob范圍：1.0~2.0V 3直流工作電壓Vdc范圍：(Vbr-1V)~(Vbr-2V) 以上數(shù)據(jù)僅供參考，用戶(hù)需要根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用來(lái)選擇適合的工作條件。 | ||||||
2 **額定值Maximum ratings
參數(shù) | 條件 | *小值 | **值 | 單位 |
正向電流 Forward current | 連續(xù)方式 | 1 | mA | |
正向電壓 Forward voltage | 連續(xù)方式 | 1 | V | |
反向電流 Reverse current | 連續(xù)方式 | 1 | mA | |
反向電壓 Reverse voltage | 連續(xù)方式 | Vbr+5 | V | |
脈沖方式 | Vbr+10 | |||
入射光功率Optical Power | 連續(xù)方式 (CW) | 1 | mW | |
貯存溫度 storagetemperature | -55 | 85 | ℃ |
2 典型特性曲線(xiàn)The typical characteristical curve
Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%
圖1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%時(shí)，溫度對(duì)暗計(jì)數(shù)率和后脈沖概率的影響
Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y
圖2 MP5522Y/MP5512Y光電流-暗電流曲線(xiàn)
2 封裝外形及尺寸The package
1. MP5512Y/MP5513Y
2. MP5522Y/MP5523Y
2 引腳定義
管腳 | 符號(hào) | 功能定義 |
1 | P | P（anode） |
2 | G | Case Ground |
3 | N | N (cathode) |
2 注意事項(xiàng)The cautions
— 該器件需要溫度反饋工作電壓控制
This device needs feedback of voltage temperature when operating.
— 貯運(yùn)、使用注意靜電保護(hù)措施
The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage， transporting and using.
— 光纖彎曲半徑不小于20mm
The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.
— 使用前保證光纖連接處潔凈
Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.
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