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毫無爭議的**原子力顯微鏡-自動缺陷檢查和表面粗糙度測量

更高的通量，自動的缺陷檢查

對于媒介和基體領域的工程師而言，識別納米級缺陷是一個非常耗時的工作。Park NX-HDM原子力顯微鏡系統(tǒng)可借助數量級實現自動缺陷識別、掃描和分析，從而加速缺陷檢查過程。Park NX-HDM可與眾多的光學檢查工具直接連接，這意味著自動缺點檢查通量大幅提高。

次埃米表面粗糙度測量

行業(yè)對于超平媒介和基體的要求越來越高，從而滿足體積不斷減小的設備需求。此外，Park NX-HDM擁有精確的次埃米表面粗糙度測量功能。憑借著行業(yè)*低的本底噪聲和獨特的True Non-Contact™技術，Park NX-HDM毫無疑問是市面上表面粗糙度測量*精確的原子力顯微鏡。

* 應用

- 媒介和基體自動缺陷檢查

更高的通量，自動的缺陷檢查

NX-HDM的自動缺陷檢查功能(Park ADR)可加速和改良識別、掃描和分析媒介和基體缺陷的流程。借助光學檢查工具提供的缺陷位置圖，Park ADR可自動定位這些位置并進行成像（分兩步）：

（1）縮小掃描成像，以準確定位缺陷。

（2）放大掃描成像，以獲取缺陷的細節(jié)。在真實缺陷測試中，我們可以看到相比于傳統(tǒng)的方法，該自動功能可將缺陷檢查通量提高到10倍。

自動搜尋式掃描和放大掃描

經過優(yōu)化的掃描參數讓兩步式掃描更為快速：

（1）快速的低分辨率搜尋式掃描，以準確定位缺陷。

（2）高分辨率的放大掃描，以獲取缺陷的細節(jié)。掃描尺寸和掃描速度參數可調節(jié)，從而滿足用戶需求。

缺陷坐標圖自動傳入和映射至原子力顯微鏡

借助獨有的先進映射算法，從自動光學檢測(APO)工具中獲取的缺陷坐標圖可準確地傳入和映射至Park NX-HDM。該技術讓全自動高通量缺陷成像成為可能。

光學檢測工具的缺陷坐標圖

- 精確的次埃米表面粗糙度測量

次埃米表面粗糙度測量

行業(yè)對于超平媒介和基體的要求越來越高，從而滿足體積不斷減小的設備需求。此外，Park NX-HDM擁有精確的次埃米表面粗糙度測量功能。憑借著行業(yè)*低的本底噪聲和獨特的True Non-Contact™技術，Park NX-HDM毫無疑問是市面上表面粗糙度測量*精確的原子力顯微鏡。

* 技術特點

全自動圖形識別

借助強大的高分辨率數字CCD鏡頭和圖形識別軟件，Park NX-HDM讓全自動圖形識別和對準成為可能。

自動測量控制

自動化軟件讓NX-HDM的操作不費吹灰之力。測量程序針對懸臂調諧、掃描速率、增益和點參數進行優(yōu)化，為您提供多位置分析。

自動化軟件會按照測量文件中預設的程序進行樣品測量。Park的用戶友好型軟件界面讓用戶可靈活執(zhí)行全系統(tǒng)功能。創(chuàng)建新測量文件只需要10分鐘左右的時間，而修改現有的測量文件則需要不到5分鐘的時間。

Park NX-HDM具有：

·自動、半自動和手動模式

·各自動程序的可編輯測量方法

·測量過程實時監(jiān)測

·自動分析所獲取的測量數據

二維柔性導引掃描器，超大的100 μm x 100 μm掃描范圍

XY軸掃描器含有對稱的二維柔性和高強度壓電疊堆，可在保持平面外運動*少的情況下，實現高正交運動以及納米級樣品掃描下的高響應度。

閉環(huán)式XY軸掃描器帶雙軸伺服系統(tǒng)

XY軸掃描器的各軸上配有兩個對稱的低噪聲位置感應器，得以在**的掃描范圍和樣品尺寸下保持高正交掃描。雙感應器能夠修正和補償單感應器引起的非線性和非平面位置誤差。

高速Z軸掃描器，掃描范圍達15 μm

借助高強度壓電疊堆和柔性結構，標準Z軸掃描器的共振頻率高達9 kHz以上（一般為10.5 kHz）且探針的Z軸移動速率不低于48 mm/秒，讓信息反饋更為準確。**Z軸掃描范圍可從標準的15 μm擴展至40μm（可選購的遠距離Z軸掃描器）。

低噪聲XYZ軸位置傳感器

行業(yè)**的低噪聲Z軸探測器替代Z電壓，作為樣貌信號。此外，低噪聲XY閉環(huán)掃描可將正向掃描和反向掃描間隙降至掃描范圍的0.15%以下。

行業(yè)*低的本底噪聲

為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面，Park推出行業(yè)本底噪聲*低（< 0.5?）的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時，在如下情況下測量系統(tǒng)噪聲：

·0 nm x 0 nm掃描范圍，停在一個點

·0.5增益，接觸模式

·256 x 256像素

離子化系統(tǒng)

離子化系統(tǒng)可有效地消除靜電電荷。由于系統(tǒng)隨時可生產和位置正離子和負離子之間的理想平衡，便可以穩(wěn)定地離子化帶電物體，且不會污染周邊區(qū)域。它也可以消除樣品處理過程中意外生成的靜電電荷。