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INSTEMS系列為用戶提供了7種原位TEM實(shí)驗(yàn)平臺。其中包含三種單外場施加平臺，三種雙外場耦合平臺和一種三外場耦合平臺。三種單外場產(chǎn)品為INSTEMS-M（力學(xué)加載）、INSTEMS-E（電學(xué)加載）和INSTEMS-T（熱場加載）；三種雙外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-ME（力電耦合）、INSTEMS-TE（熱電耦合）和INSTEMS-MT（力熱耦合）；一種三外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-MET（力熱電耦合）。

產(chǎn)品介紹：

BST-INSTEMS-M使用的MEMS集合精密的芯片結(jié)構(gòu)與壓電驅(qū)動(dòng)器，力學(xué)加載方向與雙傾臺平面平行。高精度力學(xué)驅(qū)動(dòng)（0.1nm等級驅(qū)動(dòng)）與雙傾系統(tǒng)互不干擾，能在力學(xué)加載的同時(shí)穩(wěn)定的觀察高質(zhì)量原子尺寸的像。另外，可根據(jù)客戶需求配置不同結(jié)構(gòu)的芯片，滿足不同尺寸形狀不同加載模式力學(xué)實(shí)驗(yàn)要求。

突出優(yōu)勢：

1、多種力學(xué)加載模式：

拉伸/壓縮/壓痕/彎曲/沖擊/蠕變/疲勞

自動(dòng)/手動(dòng)/循環(huán)加載

牛頓級驅(qū)動(dòng)器(> 100 mN)

pm級驅(qū)動(dòng)控制

2、雙軸傾轉(zhuǎn)：

α 軸傾轉(zhuǎn)**至±20°

β 軸傾轉(zhuǎn)**至±10°

3、穩(wěn)定的原子尺度成像：

極限樣品漂移＜50 pm/s

空間分辨率≤0.1 nm

技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用領(lǐng)域

高強(qiáng)鋼

納米線

高強(qiáng)鋁合金

鈦合金

納米薄膜

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