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德國(guó) Sentech等離子沉積機(jī)SI 500 PPD

過(guò)程的靈活性

PECVD沉積工具SI 500 PPD的使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的標(biāo)準(zhǔn)工藝，a- si在室溫到350℃之間。

真空l(shuí)oadlock SI 500 PPD的特點(diǎn)是真空加載鎖定和干燥. 抽油機(jī)適用于無(wú)油、高產(chǎn)量和沉積過(guò)程的清潔度。

SENTECH控制軟件

用戶友好的強(qiáng)大軟件包括模擬GUI、參數(shù)窗口、食譜編輯器、數(shù)據(jù)日志和用戶管理。

SI 500 PPD是一種先進(jìn)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積介質(zhì)薄膜的工具，硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，

控溫基片電極，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作SI 500 PPD的用戶界面。

從直徑200毫米的晶圓片到裝載在載體上的各種基板，都可以在SI 500 PPD等離子體沉積儀。單片【真空負(fù)荷鎖定】保證了穩(wěn)定的工藝條件和可以方便地切換進(jìn)程。

SI 500 PPD等離子體增強(qiáng)沉積工具被配置成在a中沉積SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜

溫度范圍從室溫到350℃。解決方案可用于TEOS， SiC，以及其他具有液態(tài)或氣態(tài)前體的物質(zhì)。SI 500 PPD適用于介質(zhì)的沉積用于蝕刻掩膜、薄膜、鈍化膜、波導(dǎo)等的薄膜和非晶態(tài)硅。

SENTECH提供不同水平的自動(dòng)化，從真空盒加載到一個(gè)過(guò)程室到六個(gè)端口集群，不同的沉積和蝕刻模塊，以高靈活性或高吞吐量為目標(biāo)。SI 500 PPD也可以作為集群配置上的進(jìn)程模塊。

PECVD SI 500 PPD

PECVD等離子體沉積工具與真空l(shuí)oadlock

高達(dá)200毫米晶圓

襯底溫度從RT到350℃

低應(yīng)力薄膜可選低頻混頻

TEOS和其他液體前驅(qū)體的來(lái)源

干式抽油機(jī)