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物鏡極靴^*1

超高分辨UHR

高分辨率HR

高傾斜HT

高襯度HC

分辨率

　點(diǎn)分辨率

晶格分辨率

0.17nm

0.1nm

0.19nm

0.1nm

0.21nm

0.1nm

0.26nm

0.14nm

能量分辨率

0.9 eV（零損失FWHM）

加速電壓

300kV，200kV，100kV^*2

　*小步長

　能量位移

100V

**3，000V (以0.2V為步長)

電子槍

　發(fā)射體

ZrO/W(100) 肖特基式

　亮度

≧7×10⁸ A/cm² ? sr

　真空度

3×10^-8Pa

　探針電流

探針直徑為1nm時(shí)，電流在0.5nA以上

穩(wěn)定度

　加速電壓

2×10^-6/min

　物鏡電流

1×10^-6/min

　過濾器透鏡電流

1×10^-6/min

物鏡

　焦距

2.7 mm

3.0 mm

3.5 mm

3.9 mm

　球差系數(shù)

0.6 mm

1.1 mm

1.4 mm

3.2 mm

　色差系數(shù)

1.5 mm

1.8 mm

2.2 mm

3.0 mm

　*小焦距步長

1.0 nm

1.4 nm

1.5 nm

4.1 nm

束斑尺寸

　TEM 模式

2 ～ 5 nmφ

2 ～ 5 nmφ

7 ～ 30 nmφ

　EDS 模式

0.4 ～ 1.6 nmφ

0.5 ～ 2.4 nmφ

4 ～ 20 nmφ

　NBD 模式

0.4 ～ 1.6 nmφ

0.5 ～ 2.4 nmφ

-

　CBD 模式

0.4 ～ 1.6 nmφ

0.5 ～ 2.4 nmφ

-

電子束衍射

　衍射角(2α)

1.5 t～ 20 mrad

-

　取出角

±10 °

-

倍率

　MAG 模式

×2，500 ～ 1，500，000

×2，000 ～ 1，200，000

×1，500 ～ 1，200，000

　LOW MAG 模式

×100 ～ 3，000

　SA MAG 模式

×8，000 ～ 600，000

×6，000 ～ 500，000

×5，000 ～ 500，000

視野

10eV時(shí)狹縫寬度60mm(底片上)

2eV時(shí)狹縫寬度25mm(底片上)

相機(jī)長度

　選區(qū)電子衍射

200 ～ 2，000 mm

250 ～ 2，500 mm

400 ～ 3，000 mm

EELS 散射

　能量選擇

　在能量選擇狹縫上

0.85 μm/eV ， 300 kV

　底片上

100 ～ 220 μm/eV ， 300kV

樣品室

　樣品移動(dòng)范圍 (XY/Z)

2mm/0.2mm

2mm/0.4mm

2mm/0.4mm

2mm/0.4mm

　樣品傾斜角 (X/Y)

±25°/±25°^*3

±35°/±30°^*3

±42°/±30°^*3

±38°/±30°^*3

EDS^*4

　固體角

0.13 sr

0.09 sr

　取出角

25°

20°