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導(dǎo)語

智能PECVD設(shè)備是目前最新型的一款設(shè)備，將所有的控制部分集為一體，此款設(shè)備是我司在2013年獲得專利的設(shè)備。可配備PE射頻電源，將CVD系統(tǒng)升級(jí)為PECVD。當(dāng)參與反應(yīng)的氣氛進(jìn)入爐管在射頻電源的作用下產(chǎn)生離子體，可使反應(yīng)更加充分。同時(shí)等離子體起增強(qiáng)的作用，從而很大程度上優(yōu)化實(shí)驗(yàn)的工藝條件。

我公司研制的PECVD系統(tǒng)能使整個(gè)實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。

1、與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。

2、設(shè)備特有的專利技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長。

設(shè)備特點(diǎn)：

1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)10A/S；

2. 大面積均勻性高：采用了先進(jìn)的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標(biāo)達(dá)到8%；

3. 一致性高：用半導(dǎo)體行業(yè)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；

4. 工藝穩(wěn)定性高：高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定。

安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司

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