隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。同時(shí)，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

近年來，我國在SiC材料領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但與國際先進(jìn)水平相比，在晶體生長技術(shù)、晶圓加工技術(shù)等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質(zhì)量穩(wěn)定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰(zhàn)。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。

在此背景下，中國粉體網(wǎng)將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長及晶圓加工技術(shù)研討會(huì)，大會(huì)將匯聚國內(nèi)行業(yè)專家、學(xué)者、技術(shù)人員、企業(yè)界代表圍繞晶體生長工藝、關(guān)鍵原材料、生長設(shè)備及應(yīng)用、碳化硅晶片切、磨、拋技術(shù)等方面展開演講交流。常州臻晶半導(dǎo)體有限公司作為參展單位邀請(qǐng)您共同出席。

公司成立于2020年10月，位于常州武進(jìn)區(qū)武宜南路377號(hào)國家高新區(qū)創(chuàng)業(yè)產(chǎn)業(yè)園。主營液相法SiC單晶爐及晶片，擁有集晶體生長、晶體晶片加工清洗檢測全套碳化硅晶片研發(fā)平臺(tái)和生產(chǎn)基地。擁有液相法單晶爐研制、穩(wěn)定可靠熱場體系、多元活性助溶劑配方、高品質(zhì)低成本SiC長晶工藝等創(chuàng)新技術(shù)。

公司榮獲2023年江蘇省雙創(chuàng)人才、常州市“龍城英才計(jì)劃十七批領(lǐng)軍人才創(chuàng)業(yè)類項(xiàng)目、2024年常州市種子獨(dú)角獸企業(yè)等榮譽(yù)。致力于成為低成本、高品質(zhì)碳化硅設(shè)備及材料世界龍頭供應(yīng)商。

公司擁有核心研發(fā)、技術(shù)人才，多位成員擁有幾十年在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，設(shè)立研發(fā)部、生產(chǎn)部、銷售部、采購部、財(cái)務(wù)部、行政人事部、知識(shí)產(chǎn)權(quán)部，質(zhì)量部，是一支集科研、生產(chǎn)、銷售于一體的完善創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)。

產(chǎn)品介紹

1、碳化硅液相法電阻長晶爐

可視化

通過監(jiān)控設(shè)備可以實(shí)時(shí)察看晶體生長界面和溶液狀態(tài)。

兼容性強(qiáng)

兼容6-8英寸晶體生長,兼容P型、N型單晶生長，兼容PVT方法單晶生長。

工藝重復(fù)性好

電阻法的工藝參數(shù)相對(duì)容易控制和穩(wěn)定，有利于研發(fā)階段成功工藝的復(fù)刻，也有利于模量產(chǎn)階段保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。

維護(hù)成本低

電阻法對(duì)熱場的腐蝕更輕，同樣的熱場可以使用更多的爐次,降低熱場更換頻率并減少維護(hù)成本。

延展性強(qiáng)

客戶可在我們提供的工藝包基礎(chǔ)上自由拓展，匹配不同工藝路線。

技術(shù)路線更寬

電阻法制備碳化硅晶錠技術(shù)可以與其他先進(jìn)的晶體生長技術(shù)或先進(jìn)材料處理技術(shù)相結(jié)合，為碳化硅材料的研發(fā)和應(yīng)用提供更多的可能性。

電阻爐的優(yōu)勢

溫度控制更精準(zhǔn)

電阻爐的加熱器距離坩堝較近,輻射面積集中，可更精準(zhǔn)地控制坩堝溫度。

溫度梯度更合理

電阻法獨(dú)特的加熱方式可以實(shí)現(xiàn)更合理的溫度梯度能更好的減少晶體生長過程中出現(xiàn)的各種缺陷。

2、液相法sic籽晶-6英寸siC籽晶

●籽晶痛點(diǎn)

提高PVT生長SiC晶體品質(zhì)最有效的方法就是使用更高品質(zhì)的籽晶,而通過PVT法自身培育的籽晶，因PVT法自身的技術(shù)特點(diǎn),培育的籽晶有微管、位錯(cuò)密度高,品質(zhì)很難突破。

●液相法生長籽晶價(jià)值

SiC液相法生長溫度相對(duì)較低,近平衡態(tài)生長,結(jié)晶質(zhì)量高,易長厚,易擴(kuò)徑,因此培育的籽晶無微管,位錯(cuò)密度低，品質(zhì)高。

3、柔性粘接工藝包&電阻加熱燒結(jié)爐

柔性粘接

采用的柔性粘接工藝,后期有利于零損傷取單晶

工藝改善

優(yōu)化改善碳化硅晶體生長應(yīng)力問題

自動(dòng)化控制

程序編撰，半自動(dòng)化控制

精密化定位

精密配合，避免人員誤差累積

適配性強(qiáng)

適合液相法生長使用，適合零基礎(chǔ)

會(huì)務(wù)組

聯(lián)系人：段經(jīng)理

電話：13810445572

郵箱：duanwanwan@cnpowder.com

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