中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，合盛硅業(yè)股份有限公司下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動(dòng)切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。
2024年，合盛硅業(yè)在碳化硅材料領(lǐng)域取得了重要突破，8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)規(guī)�；慨a(chǎn)。這是公司碳化硅項(xiàng)目研究過程中的重要里程碑，標(biāo)志著合盛硅業(yè)在大尺寸碳化硅晶體、晶片制備技術(shù)上已躋身國(guó)際先進(jìn)水平。
2025年5月，其在更大尺寸晶錠和襯底制備方面也實(shí)現(xiàn)較大進(jìn)展，已突破12英寸的SiC長(zhǎng)晶技術(shù)。
合盛硅業(yè)基于自主設(shè)計(jì)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計(jì)，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長(zhǎng)。
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。目前，SiC襯底尺寸從8英寸升級(jí)至12英寸也是行業(yè)的重要趨勢(shì)，核心目的只有一個(gè)，那就是提高器件生產(chǎn)效率以降低成本。
12英寸SiC襯底相比8英寸，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進(jìn)一步提升經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。
而大尺寸也為碳化硅加工工藝帶來難度，12英寸襯底切割時(shí)熱應(yīng)力分布復(fù)雜，厚度偏差可能導(dǎo)致器件性能不穩(wěn)定；在長(zhǎng)晶方面，熱場(chǎng)均勻性控制，在使用物理氣相傳輸法PVT生長(zhǎng)碳化硅時(shí)，12英寸晶圓需要更大的石墨坩堝和更高的溫度。溫度梯度不均會(huì)導(dǎo)致晶格缺陷（如微管、位錯(cuò)）增加，且熱應(yīng)力易引發(fā)晶體開裂。
此次，合盛硅業(yè)首次實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈邁入新紀(jì)元，更為行業(yè)突破國(guó)際技術(shù)壁壘、實(shí)現(xiàn)自主可控發(fā)展提供了寶貴的經(jīng)驗(yàn)和示范。
來源：合盛硅業(yè)、電子發(fā)燒友網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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