斯普瑞噴霧

NanoCleaning

破局28納米清洗困局

半導體制造的“納米級潔癖”

清洗技術成制程升級勝負手

當半導體制造邁入28納米及以下制程，晶圓表面殘留的0.1微米級微粒足。以引發(fā)芯片功能失效，其嚴苛程度堪比“在足球場上清除一粒砂糖”。據(jù)SEMI研究顯示，清洗環(huán)節(jié)缺陷率每降低1%，芯片良率可提升超5%，直接撬動千萬級經(jīng)濟效益。在這場關乎技術話語權的較量中，國內(nèi)某家與清華大學合作的國產(chǎn)半導體設備領軍企業(yè)，卻因晶圓研磨機（CMP）設備清洗工藝的微小缺口，陷入國際競爭困局。

當遭遇28納米“清洗黑障”

斯普瑞噴霧助力企業(yè)技術突圍

客戶案例分享

作為國產(chǎn)CMP設備與清洗設備的雙賽道企業(yè)，卻在28納米工藝升級時遭遇致命挑戰(zhàn)——為簡化流程取消精細清洗模塊后，晶圓表面金屬殘留、微粒污染等問題集中爆發(fā)，清洗合格率驟降至90%，單月廢品損失超百萬。

NanoCleaning破壁：

從實驗室參數(shù)到產(chǎn)線數(shù)據(jù)的科技躍遷

斯普瑞噴霧技術團隊深入該企業(yè)產(chǎn)線解剖工藝鏈，發(fā)現(xiàn)問題的核心在于傳統(tǒng)噴霧清洗的“粗放式覆蓋”難以實現(xiàn)納米級清潔穿透。我們自主研發(fā)的NanoCleaning高精度空氣霧化系統(tǒng)，通過三項顛覆性創(chuàng)新直擊痛點：  

1、量子級霧化控制

采用超音速氣體動力學模型，將清洗液破碎為0.01μm級納米霧滴，較傳統(tǒng)工藝粒徑縮小80%，穿透晶圓表面微結構能力提升5倍；

2、動態(tài)流場重構

基于百萬級流體仿真數(shù)據(jù)，開發(fā)湍流-層流自適應調(diào)節(jié)算法，使清洗介質(zhì)在0.1秒內(nèi)完成表面污染物剝離； 

3、智能工藝耦合

通過模塊化設計將清洗單元無縫嵌入客戶CMP設備，實現(xiàn)研磨-清洗工藝鏈的毫秒級響應閉環(huán)。

驗證數(shù)據(jù)驚艷業(yè)界

在客戶產(chǎn)線實測中，搭載NanoCleaning的CMP設備不僅將28納米晶圓清洗合格率拉升至98%的行業(yè)天花板，更通過工藝優(yōu)化使單臺設備增值5萬元。測試顯示，其殘留顆粒數(shù)較日系競品低42%，成為客戶奪回高端市場的“技術王牌”。

技術經(jīng)濟學范本：

從產(chǎn)線到財報的增值奇跡

“這不是簡單的設備改造，而是一場制造邏輯的革命�！痹撈髽I(yè)在驗收報告中如此評價。NanoCleaning帶來的不僅是技術指標的躍升： 

效果一

成本重構清洗環(huán)節(jié)效率提升使二次研磨時間縮短15%，單月節(jié)省人工200小時，相當于每年減支超60萬元；  

效果二

收益裂變設備溢價與良率提升雙輪驅動，客戶單月新增收益7萬元，投資回收期僅2個月，投資回報率高達600%； 

效果三

格局重塑Nano Cleaning技術的成功應用，使該企業(yè)在28納米及以下制程的晶圓清洗領域處于行業(yè)領先地位，吸引了更多高端客戶的關注與合作。

高精尖技術的產(chǎn)業(yè)宣言

斯普瑞噴霧NanoCleaning的突圍之路，印證了一個硬道理：在半導體制造的“超凈間”里，真正的技術護城河往往藏于細節(jié)。當國產(chǎn)設備商在28納米清洗這樣的微觀戰(zhàn)場實現(xiàn)“超車”，其意義遠超單一技術突破——它標志著中國半導體產(chǎn)業(yè)開始從“工藝跟隨”轉向“標準定義”。  

如今，這項技術已延伸至14納米制程驗證，并在第三代半導體材料清洗中展現(xiàn)顛覆潛力。當行業(yè)還在討論“國產(chǎn)替代”時，斯普瑞與合作伙伴已用NanoCleaning寫下新的注腳：高端半導體設備的未來戰(zhàn)場，中國技術正在定義規(guī)則。