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來源:IT之家

[導讀]  三星電子內部組建了新的碳化硅功率半導體團隊

中國粉體網(wǎng)訊  三星電子內部組建了新的碳化硅(SiC)功率半導體團隊,已經任命安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁,負責監(jiān)管相關業(yè)務。


洪錫俊是功率半導體領域的專家,在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗,加入三星后,他負責領導這項工作,同時積極與韓國功率半導體產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是,三星在正式進軍 GaN(氮化鎵)業(yè)務前,也提前組建了相關業(yè)務團隊。  


三星電子已開始全面籌備 GaN 功率半導體業(yè)務。三星決定購買 Aixtron 最新的 MOCVD 設備,專門用于加工 GaN 和 SiC 晶圓,這凸顯了三星對此努力的承諾,這筆投資預計至少為 700-8000 億韓元。  


盡管三星的第三代半導體代工業(yè)務預計將于 2025 年啟動,但目前仍處于研究和樣品階段,現(xiàn)在需要大量投資設備以支持未來的量產工作。 


根據(jù) TrendForce 的分析,預計 2023 年全球 SiC 功率器件市場規(guī)模將達到 22.8 億美元,同比增長 41.4%。預計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元。  


根據(jù) TrendForce 的最新研究,預計到 2024 年,三星 8 英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導體需求減少,再加上地緣政治因素,嚴峻的商業(yè)環(huán)境影響了三星的訂單量。  


隨著 SiC 和 GaN 功率半導體的需求持續(xù)上升,以及三星硅晶圓業(yè)務面臨挑戰(zhàn),該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起,正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務。這一戰(zhàn)略舉措預計將在 2025 年至 2026 年間實現(xiàn)。


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安)

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