中國粉體網(wǎng)訊  三星電子內部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經任命安森美半導體前董事洪錫俊（Stephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。

洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經驗，加入三星后，他負責領導這項工作，同時積極與韓國功率半導體產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)務前，也提前組建了相關業(yè)務團隊。  

三星電子已開始全面籌備 GaN 功率半導體業(yè)務。三星決定購買 Aixtron 最新的 MOCVD 設備，專門用于加工 GaN 和 SiC 晶圓，這凸顯了三星對此努力的承諾，這筆投資預計至少為 700-8000 億韓元。  

盡管三星的第三代半導體代工業(yè)務預計將于 2025 年啟動，但目前仍處于研究和樣品階段，現(xiàn)在需要大量投資設備以支持未來的量產工作。 

根據(jù) TrendForce 的分析，預計 2023 年全球 SiC 功率器件市場規(guī)模將達到 22.8 億美元，同比增長 41.4%。預計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元。  

根據(jù) TrendForce 的最新研究，預計到 2024 年，三星 8 英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導體需求減少，再加上地緣政治因素，嚴峻的商業(yè)環(huán)境影響了三星的訂單量。  

隨著 SiC 和 GaN 功率半導體的需求持續(xù)上升，以及三星硅晶圓業(yè)務面臨挑戰(zhàn)，該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起，正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務。這一戰(zhàn)略舉措預計將在 2025 年至 2026 年間實現(xiàn)。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/長安）

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