中國粉體網(wǎng)訊  2023年6月29日，天岳先進(jìn)攜8英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動態(tài)亮相Semicon China展會，受到高度關(guān)注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇公開了天岳先進(jìn)最新進(jìn)展。

來源：天岳先進(jìn)

據(jù)介紹，在產(chǎn)品方面，目前天岳先進(jìn)以6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主；產(chǎn)能方面，上海臨港工廠已于5月3日舉行交付儀式，公司預(yù)計隨著公司技術(shù)的快速提升，將盡早實現(xiàn)臨港工廠第一階段30萬片的產(chǎn)能目標(biāo)。通過自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品，目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。

碳化硅的本身特性決定了其單晶生長難度較大，目前比較主流的方法有物理氣相傳輸法（PVT法）、液相法以及高溫氣相化學(xué)沉積法等。其中，液相法生長碳化硅晶體由于更接近熱力學(xué)平衡條件，有望生長質(zhì)量很好的碳化硅晶體，相比于PVT法生長碳化硅，液相法具有位錯密度低、易于實現(xiàn)擴(kuò)徑、可以獲得P型晶體等優(yōu)點，另外，成本上的降低也是液相法的一大優(yōu)勢。

近日，天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。

除了產(chǎn)品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，天岳先進(jìn)采用最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破 60mm，這對提升產(chǎn)能具有重要的意義，該技術(shù)也是天岳先進(jìn)重點布局的技術(shù)方向之一。

在新能源汽車、光伏、儲能等市場持續(xù)推動下，今年以來，國際半導(dǎo)體巨頭紛紛聯(lián)手國產(chǎn)碳化硅襯底、材料等環(huán)節(jié)巨頭，進(jìn)軍8英寸碳化硅。據(jù)悉，8英寸的面積較6英寸增加了約78%，同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數(shù)將提升近90%，可將單位綜合成本降低50%。

今年5月份，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂一項新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。值得一提的是，天岳先進(jìn)的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。

此外，博世集團(tuán)也與天岳先進(jìn)簽署了戰(zhàn)略合作長期協(xié)議，以鎖定芯片制造關(guān)鍵材料碳化硅襯底的需求。

隨著全球能源電氣化、低碳化的發(fā)展趨勢，碳化硅半導(dǎo)體材料和器件將發(fā)揮越來越重要的作用，天岳先進(jìn)表示，公司看好行業(yè)長遠(yuǎn)發(fā)展?jié)摿�，并努力做好技術(shù)突破和產(chǎn)能提升，繼續(xù)引領(lǐng)發(fā)展，提升公司的長遠(yuǎn)價值。

來源：天岳先進(jìn)、IT之家、中國經(jīng)營網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知刪除