中國(guó)粉體網(wǎng)訊  以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料的開發(fā)與應(yīng)用已寫入“十四五規(guī)劃”，國(guó)家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進(jìn)著。隨著航天、航空、石油勘探、核能、汽車等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展，尤其是新能源汽車的快速發(fā)展，在國(guó)產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動(dòng)下，我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)不斷地升溫。目前，我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)完善工作仍在持續(xù)推進(jìn)。

近日，T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》等3項(xiàng)系列標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制，并于2023年3月22日起開始征求意見，截止日期為2023年4月21日。據(jù)了解，該系列標(biāo)準(zhǔn)由山東大學(xué)、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、紹興中芯集成電路制造股份有限公司、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、杭州海乾半導(dǎo)體有限公司、安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、中電化合物半導(dǎo)體有限公司等單位聯(lián)合起草。

T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸》規(guī)定了8英寸碳化硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡(jiǎn)稱“碳化硅晶片”）基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸。適用于4H晶片，產(chǎn)品主要用于制作晶體管、整流器件等。該標(biāo)準(zhǔn)于2022年7月11日正式立項(xiàng)。

T/CASAS 026—202X《碳化硅少數(shù)載流子壽命測(cè)定 微波光電導(dǎo)法》規(guī)定了用微波光電導(dǎo)法測(cè)定碳化硅少數(shù)載流子壽命的方法。標(biāo)準(zhǔn)適用于4~12 英寸碳化硅襯底片和碳化硅外延片。同時(shí)也適用于少數(shù)載流子壽命為20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。該項(xiàng)目于2022年11月21日正式立項(xiàng)。

T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞元素含量的測(cè)定，測(cè)定范圍為108 cm-2~1012 cm-2。適用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同時(shí)也適用于碳化硅退火片等無(wú)圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測(cè)定。該項(xiàng)目于2022年11月21日正式立項(xiàng)。

信息來(lái)源：第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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