中國粉體網(wǎng)訊  1月30日，東臺高新區(qū)與無錫海古德新技術(shù)有限公司就“高性能氮化鋁陶瓷材料項目”在江蘇富樂華功率半導體研究院正式簽約！

該項目投資6億元，建成后年產(chǎn)氮化鋁基板720萬片，氮化硅基板300萬片。氮化鋁與氮化硅是當今最炙手可熱的陶瓷基板材料。隨著功率器件特別是第三代半導體的崛起與應(yīng)用，半導體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展，對封裝基板性能也提出了更高要求。

與其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有明顯優(yōu)勢，尤其是在高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現(xiàn)出的耐高溫性能、對金屬的化學惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學性能。氮化硅陶瓷的抗彎強度、斷裂韌性都可達到AlN的2倍以上，特別是在材料可靠性上氮化硅陶瓷基板具有其他材料無法比擬的優(yōu)勢。氮化硅也被認為是綜合性能最好的陶瓷材料。

氮化鋁是兼具良好的導熱性和良好的電絕緣性能少數(shù)材料之一，高熱導率是氮化鋁的突出特點，室溫時其理論導熱率最高可達320W/(m•K)，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實際生產(chǎn)的熱導率也可高達200W/(m•K)，有利于LED中熱量散發(fā)，提高LED性能，在電子封裝對熱導率的要求方面，氮化鋁優(yōu)勢巨大。

據(jù)了解，該項目源于清華大學國家863科技成果，并由無錫海古德新技術(shù)有限公司投資建設(shè)。無錫海古德新技術(shù)有限公司是一家擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、高科技專利技術(shù)，集新型陶瓷材料及其電子元件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的現(xiàn)代化高新技術(shù)企業(yè)。核心產(chǎn)品高性能氮化鋁（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板及其元器件。

參考來源：東臺高新區(qū)公眾號、中國粉體網(wǎng)

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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