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背景介紹：
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。 石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用，但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。 牧科納米技術(shù)團(tuán)隊經(jīng)過長時間的技術(shù)攻關(guān)，不用昂貴的金屬基體，在常見的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法，成功制備出了100微米到幾個毫米級六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上，方便取用。 該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量，將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場效應(yīng)晶體管，測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100 cm2V-1s-1。 常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。 石墨烯單晶表征數(shù)據(jù)： 2000um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片：
單晶尺寸：2000um
襯底：銅襯底
11月25日，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎(chǔ)研究”等項目的支持下，在國際上首次實(shí)現(xiàn)
【科技前沿】科學(xué)家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時間：2015-11-28 點(diǎn)擊：14 屯特大學(xué)MESA+研究中心的研究者和幾個其他機(jī)構(gòu)的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼
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