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SiC晶圓表面載流子濃度檢測(cè)品牌
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技術(shù)參數(shù):
1)測(cè)試模式: MOS、Schottky
2)樣品尺寸:直徑≤200mm，非標(biāo)樣品或者碎片*小測(cè)試尺寸30mmX30mm
3)外延層載流子濃度測(cè)試范圍:1E14-5E18cm-3
4)單點(diǎn)測(cè)試面積:0.018-0.027 cm2
5)汞接觸面積重復(fù)性:1sigma<0.5%
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