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二硅化鈷 CoSi2 金屬粉末
二硅化鈷 CoSi2 金屬粉末

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面議

型號

RDB-FM-CoSi2

品牌

上海研倍

產地

上海

樣本

暫無
上海研倍新材料科技有限公司

白金會員

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第1年

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上海研倍新材料 專業(yè)生產金屬粉末 CoSi2 金屬粉末

1、產品信息

貨號純度規(guī)格形貌
RDB-FM-CoSi2可定制10-50μm、20-63μm、50-100μm 等銀灰色粉末

2、產品規(guī)格

樣品測試包裝:客戶指定(<1kg / 真空密封瓶)

樣品產品包裝:1kg / 真空密封瓶

常規(guī)產品包裝:5kg/10kg/25kg

備注:采用雙層真空包裝,內部充入高純氬氣保護,外部為防潮鋁箔袋封裝,支持定制包裝規(guī)格。需存放于干燥、通風、無腐蝕性氣體的環(huán)境中,避免與空氣、水汽接觸,遠離酸、堿、強氧化劑。

3、產品概述

二硅化鈷(CoSi?)粉末由上海研倍新材料運用真空感應熔煉 - 氣霧化工藝或高溫固相合成法制備而成,具有純度高、粒徑分布窄、化學穩(wěn)定性良好的特點。作為過渡金屬硅化物,CoSi?晶體呈現特定晶相結構,鈷(Co)元素的電子結構賦予其獨特的電學與磁學性能。它具備良好的導電性,可作為低電阻接觸材料;在磁性方面,其磁性特性會隨溫度和外界磁場變化而改變。此外,CoSi?擁有優(yōu)異的高溫抗氧化性,抗氧化溫度達 850℃以上,且具有較高的熱導率和化學穩(wěn)定性,在半導體、磁性存儲、高溫涂層等領域展現出重要的應用潛力,是電子信息和新材料領域的關鍵基礎材料。

4、產品用途

半導體領域:利用 CoSi?良好的導電性和與硅(Si)基底的低接觸電阻特性,廣泛應用于集成電路中的源 / 漏極和柵極的硅化物,可降低器件的串聯電阻,提高電子遷移速率,提升芯片的性能和集成度,助力先進制程芯片的研發(fā)與生產。

磁性存儲領域:基于其獨特的磁學性能,CoSi?可用于制備磁性隧道結、自旋閥等磁性存儲單元的關鍵材料,在提高存儲密度、加快讀寫速度、降低能耗等方面發(fā)揮重要作用,推動高密度磁性存儲技術如硬盤、固態(tài)硬盤的發(fā)展。

高溫涂層領域:憑借其優(yōu)異的高溫抗氧化性和熱穩(wěn)定性,CoSi?可作為高溫防護涂層材料,應用于航空發(fā)動機渦輪葉片、高溫爐部件表面,形成致密的抗氧化保護膜,有效阻擋高溫氧化和熱腐蝕,延長部件使用壽命,提升高溫設備的可靠性和安全性。

科研與新材料開發(fā):作為基礎研究材料,用于探索過渡金屬硅化物的電子結構、磁電耦合效應等前沿科學問題;也可與其他材料復合,開發(fā)新型功能合金、復合材料,滿足航空航天、新能源等領域對高性能材料的需求。

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