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常規(guī)硅片品牌
晶沐光電產(chǎn)地
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介紹：硅片的原始材料是高純度的多晶硅，經(jīng)過一系列復(fù)雜的加工工藝，包括晶體生長、研磨、拋光、切片等步驟后形成，以滿足半導(dǎo)體芯片制造的要求。
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應(yīng)用：硅片廣泛用于集成電路（IC）、功率半導(dǎo)體、傳感器和光電子器件，是半導(dǎo)體行業(yè)的核心材料。它支撐了智能手機、計算機、5G通信、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的發(fā)展。隨著先進封裝和硅光子技術(shù)的進步，硅片在高性能計算（HPC）和光通信中發(fā)揮著重要作用。
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單晶硅襯底（2~12英寸） | ||||||
直徑 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm | 300.mm |
厚度 | 400μm | 400μm | 500μm | 625μm | 725μm | 775μm |
表面晶向 | <100> ∣ <111> ∣ <110> | |||||
生長方式 | CZ ∣ FZ | |||||
摻雜類型 | N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) | P-type(B-Doping) | Intrinsic | |||
定位邊晶向 | 16mm | 22mm | 32.5mm | 47.5mm | Notch | Notch |
電阻率 | 0.001-0.005ohm-cm | 1-100ohm-cm | ＞10000ohm-cm | |||
正面狀態(tài) | Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
反面狀態(tài) | SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm | |||||
總厚度偏差TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤10μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤30μm |
彎曲度BOW | ≤10μm | ≤12μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤45μm |
翹曲度WARP | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm | ≤60μm | ≤60μm |
邊緣去除 | ≤2 mm | ≤3 mm | ||||
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單晶硅 Si | |
Growth Method | CZ/FZ |
Crystal Structure | Diamond |
Lattice Constant(nm) | a=5.4305? |
Density(g/cm3) | 2.329 |
Melting point | 1410℃ |
Mohs Hardness(mohs) | 7 |
Dielectric Constant | 11.8 |
Band Gap(eV) | 1.1 |
Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) | 0.3 |
Thermal Conductivity(n-type）(W/cm.K ) | 1.48 |
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) | 1480 |
熱膨脹系數(shù) | 2.6×10^-6 /℃ |
折射率 | 3.5 |
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