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Low-K開槽裝備品牌
通用半導體產(chǎn)地
江蘇樣本
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Low-K半導體的發(fā)展
HGL1151系列是集成了通用智能核心技術的半導體晶圓Low-K層開槽設備，全自動一站式加工，
晶圓上料→預清洗+保護層涂布→激光開槽→后清洗+干燥→晶圓下料，所有工藝過程一氣呵成。
產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng)，標配超高精密氣浮式高速加工平臺，
切割過程實時監(jiān)控··實時糾偏等功能，確保Low-K晶圓開槽的精度一致性和質(zhì)量的穩(wěn)定性。
本產(chǎn)品的開槽精度高，槽形優(yōu)異，尤其對熱影響區(qū)的控制達到國際**水準。
主要技術性能達到國內(nèi)**，部分技術性能超過國際同類產(chǎn)品，
是全面替代進口開槽設備的**選擇。
Low-K激光開槽工藝優(yōu)勢
? 非接觸加工、無物理應力、無晶圓碎裂風險 ? 通過動態(tài)激光實時控制，工藝設置簡單靈活
①自由改變開槽寬度
②自由設置槽底平滑度
? 運用方便，運用成本低
①一次定位、一次清洗，
②工藝過程清潔
③無環(huán)境污染
④基本無耗材，運用成本極低
Low-K晶圓開槽設備工位
技術原理
? 運用高性能空間光整形技術按需調(diào)制輸出激光形態(tài)
①切割道兩側(cè)以極細的雙光束刻畫出邊界細槽
②以平頂多光束激光在邊界槽內(nèi)側(cè)切割道開槽
? 運用高性能實時動態(tài)激光控制技術確保開槽精度
①實時控制激光束對槽壁垂直度的加工精度
②實時控制激光束對槽底平整度的加工精度
? 超快速脈沖激光束對Low-K材料進行精確去除
? 開槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以內(nèi)
暫無數(shù)據(jù)！
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