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隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展，工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入28納米以及14nm等更先進(jìn)等級(jí)，隨著工藝流程的延長(zhǎng)以及越趨復(fù)雜，每個(gè)晶片在整個(gè)制造過(guò)程中需要超過(guò)200道清洗步驟， 晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要以及富有挑戰(zhàn)性； 清洗設(shè)備以及工藝也必須推陳出新，使用新的戶物理及化學(xué)原理，在滿足使用者的工藝需求條件下，也兼顧降低晶圓清洗成本和兼顧環(huán)境保護(hù)；

• 減少材料損傷（material loss）； 

• 孔洞的清洗能力；

• 防止晶片結(jié)構(gòu)損傷（pattern damage）；

• 金屬、材料及微粒子的交叉污染 ；

• 晶圓可靠性改善；

單片濕法設(shè)備的工藝應(yīng)用

• 去膠及去膠后清洗

• 爐管及長(zhǎng)膜前清洗

• 氧化層/氮化硅蝕刻

• 銅/鈦金屬蝕刻

• 聚合物去除

• 擦片清洗

• 化學(xué)機(jī)械研磨后清洗

單片清洗的亮點(diǎn) 

• 可以提供完整的濕法工藝解決方案，及前瞻的技術(shù)規(guī)劃。

• 設(shè)備及工藝已經(jīng)通過(guò)國(guó)際一線大廠的驗(yàn)證。

• 設(shè)備平臺(tái)及腔體設(shè)計(jì)種類多，可滿足客戶不同條件。

• 多層式結(jié)構(gòu)腔體設(shè)計(jì)，化學(xué)品回收率**可以達(dá)到95%以上。

• 自動(dòng)清洗功能（腔體、排風(fēng)口、 化學(xué)品噴嘴及手臂），可避免交叉污染及減少微粒子。 

• 先進(jìn)的自動(dòng)工藝控制功能（片/批次），可以改善產(chǎn)品的均勻性。

• 可靠的視覺(jué)辨識(shí)功能，能立即偵測(cè)設(shè)備異常，預(yù)防產(chǎn)品異常。

• IPA 干燥功能，可以減少微粒子及水痕。

ULTRON S2XX/S3XX

設(shè)備平臺(tái): ULTRON S-Series

晶圓尺寸: 200mm/300mm， 

相關(guān)技術(shù): 全自動(dòng)旋轉(zhuǎn)式濕法清洗適用制程: 晶體管, 連接體, 圖形化, 先進(jìn)內(nèi)存, 封裝