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4H-N型SiC襯底品牌
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碳化硅（SiC）晶體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等優(yōu)越性能，被認為是制備高頻大功率器件、高溫電子器件、微波器件*有應(yīng)用前途的材料，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機驅(qū)動、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域。
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