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碳化硅(SiC)單晶材料，由于其具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、高熱導率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高電子飽和遷移速率(~Si的2.5倍)、高擊穿電場(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、**、核能等極端環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)半導體材料器件在實際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
張家港安儲科技根據(jù)客戶的需求開發(fā)了系列碳化硅晶圓拋光液，包含氧化鋁，氧化硅，氧化鈰等拋光液，滿足客戶的粗拋以及精拋需求。
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