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VSParticle 納米粒子發(fā)生器
VSParticle 納米粒子發(fā)生器

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

VSP-G1

品牌

VSParticle

產(chǎn)地

荷蘭

樣本

暫無(wú)
復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司

金牌會(huì)員

|

第8年

|

代理商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 制作方法:

    用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材(電極)。使用時(shí)只需安裝電極并設(shè)置參數(shù),按下按鈕即可開(kāi)始生成納米粒子。
  • 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):

    支持材料金屬,氧化物,合金,碳材料
  • 純度:

    產(chǎn)率:0-20mg/h (依材料而定)
  • 目數(shù):

    納米顆粒尺寸 1-20 nm
  • 品級(jí):

    優(yōu)
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VSP-G1 納米粒子發(fā)生器是一臺(tái)桌面式儀器,用于生成尺寸范圍為 1 – 20 nm 的純金屬、金屬氧化物或合金納米氣溶膠材料。納米顆粒的生產(chǎn)完全在氣相中進(jìn)行,因此無(wú)需使用表面活性劑或前驅(qū)體。用于納米粒子生產(chǎn)的源材料是由所需材料制成的兩根靶材(電極)。使用時(shí)只需安裝電極并設(shè)置參數(shù),按下按鈕即可開(kāi)始生成納米粒子。所有 VSPARTICLE 產(chǎn)品均采用模塊化設(shè)計(jì),因此 VSP-G1 納米粒子發(fā)生器既可以用作獨(dú)立的納米氣溶膠源,也可以與不同的沉積模塊結(jié)合使用。


獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵,利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子?;鸹g可以在放電通道產(chǎn)生高達(dá)20000K的瞬時(shí)高溫,足以克服塊體材料的宏觀不溶性,產(chǎn)生更多的材料可能性?;旌蟽蓚€(gè)純電極或使用合金電極可以通過(guò)成分控制調(diào)整材料組分。類(lèi)似地,通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)運(yùn)行兩個(gè) VSP-G1,每個(gè) VSP-G1 使用不同的電極材料,*后產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料(例如,分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu))

多樣化沉積.JPG.png


VSP-G1 *有價(jià)值的一點(diǎn)是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過(guò)改變氣體流速來(lái)實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)然這會(huì)影響納米顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的停留時(shí)間。 較低的流速通過(guò)為初級(jí)顆粒提供更多的時(shí)間來(lái)凝并,從而導(dǎo)致較大的平均粒徑,而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準(zhǔn)備的樣品類(lèi)型(例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層),還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來(lái)更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的**特點(diǎn)便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長(zhǎng)與傳輸過(guò)程。

VSP-G1-功能_1.png

采用模塊化設(shè)計(jì),VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用,以制備先進(jìn)的納米材料?;跀U(kuò)散、過(guò)濾或沖擊技術(shù),有不同的沉積模塊可用。


VSP-G1-功能_2.png

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

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10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
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