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FT-340系列雙電測電四探針方阻電阻率測試儀
應(yīng)用說明：
覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試
硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等，提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，
二．描述：
采用四探針組合雙電測量方法，液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響
規(guī)格型號 | FT-341 | FT-342 | FT-343 | FT-345 | FT-346 | FT-347 |
1.方塊電阻 | 10-5～2×105Ω/□ | 10-4～2×105Ω/□ | 10-3～2×105Ω/□ | 10-3～2×104Ω/□ | 10-2～2×105Ω/□ | 10-2～2×104Ω/□ |
2.電阻率 | 10-6～2×106Ω-cm | 10-5～2×106Ω-cm | 10-4～2×106Ω-cm | 10-4～2×105Ω-cm | 10-3～2×106Ω-cm | 10-3～2×106Ω-cm |
3.測試電流 | 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 0.1μA.μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA | 1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 0.1μA、1μA、10μA，100μA，1mA，10mA，100mA | 1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA |
4.電流精度 | ±0.1% | ±0.2% | ±0.2% | ±0.3% | ±0.3% | ±0.3% |
5.電阻精度 | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.5% | ≤0.5% | ≤0.5% |
6.顯示讀數(shù) | 屏液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 | |||||
7.測試方式 | 雙電測量 | |||||
8.電源 | 輸入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：<30W | |||||
9.誤差 | ≤3%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果） | |||||
10.選購功能 | 選購1.pc軟件； 選購2.方形探頭； 選購3.直線形探頭； 選購4.測試平臺；5.標(biāo)準(zhǔn)電阻.1 | |||||
11.測試探頭 | 探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針 | |||||
暫無數(shù)據(jù)！
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工商已核實(shí)
