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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐
新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

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日本

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量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!

應(yīng)用領(lǐng)域

可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢:

采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻

更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)

RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物

新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):

加熱控制加熱類型5束激光
激光功率2KW
熔區(qū)溫度2700℃ ~ 3000℃*
測溫范圍1000℃ ~ 2700℃
溫度穩(wěn)定性+/-1℃
晶體生長控制 晶體生長設(shè)計(jì)長度可達(dá)150mm*
晶體生長設(shè)計(jì)直徑可達(dá)8mm*
晶體生長速度/轉(zhuǎn)速可達(dá) 300mm/hr; 100rpm
樣品腔可施加壓力可達(dá)10bar
樣品腔氣氛多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配
晶體生長監(jiān)控高清攝像頭
晶體生長控制PC控制

*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件

應(yīng)用案例

采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例:

Ruby

Dy2Ti2O7

BaTiO3

Sr2RuO4

SmB6

Ba2Co2Fe12O22

Y3Fe5O12

* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

用戶單位

東京大學(xué)

日本國立材料研究所

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10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
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新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐信息由量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。
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