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儀器簡介：

• 2”~12” 手動(dòng) / 半自動(dòng) / 全自動(dòng)(片盒對(duì)片盒)
• 領(lǐng)域 : 半導(dǎo)體前后段 / MEMS / 三五族(GaAs / SiC / CPV) / LED / SOI / TSV
• 制程 : PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE

特點(diǎn):

• Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造干法刻蝕/PECVD設(shè)備的歷史
• Plasma-Therm設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度
• Plasma-Therm自有的軟硬件設(shè)計(jì)及完善QC系統(tǒng)
• Plasma-Therm設(shè)備配置靈活，包含手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)(片盒對(duì)片盒)型號(hào)滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及量產(chǎn)客戶需求
• Plasma-Therm設(shè)備在行業(yè)內(nèi)高占有率：目前世界范圍內(nèi)裝機(jī)數(shù)量超過1600臺(tái)
• Plasma-Therm PECVD設(shè)備：具有**的uniformity(3%)和溫度控制技術(shù)
• Plasma-Therm RIE / ICP設(shè)備：具有高刻蝕速率，低損傷， **的溫度均勻性控制(獨(dú)有的整個(gè)反應(yīng)腔陶瓷加熱技術(shù))，方便的腔體清潔技術(shù)以及精準(zhǔn)靈敏的刻蝕斷點(diǎn)監(jiān)測技術(shù)
• Plasma-Therm DES設(shè)備：應(yīng)用于MEMS及TSV領(lǐng)域，主要用于高深寬比刻蝕， morphing技術(shù)確保側(cè)壁的profile的精確控制，快速氣體切換技術(shù)（**）確保刻蝕的側(cè)壁平滑，獨(dú)有的壓力控制技術(shù)（**），高靈敏的刻蝕斷點(diǎn)監(jiān)測技術(shù)
• Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評(píng)為10 Best設(shè)備供應(yīng)商

• 半導(dǎo)體：
• 三五族(GaAs / SiC / CPV)
• MEMS / SOI
• LED
• 半導(dǎo)體后段及TSV