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原位氣氛反應(yīng)納流控安全管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)納升級(jí)別流體引入，高效精確控制氣體池中的流體的流速流量，可控流速低于10nL/s，目前市面上僅有實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)觀測(cè)區(qū)域流體流入精確定量，及高效流體實(shí)時(shí)控制。獨(dú)特納流體精確控制技術(shù)使得引入流體在極其微量級(jí)別，在芯片窗體薄膜破裂的情況下，不會(huì)有大量氣體滲漏，電鏡的安全得以保證，實(shí)驗(yàn)不受影響可持續(xù)進(jìn)行。

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：

1)移動(dòng)工作站尺寸：L*W*H=600*600*2160，柜臺(tái)高度780；納流控設(shè)備尺寸：L*W*H=344*344*194（單位：mm），以實(shí)物尺寸為準(zhǔn)。

2)PTFE或者PEEK涂層氣路通道，氣路及納米反應(yīng)室總氣體量為百微升級(jí)，承受壓力高于5.5Bar

3)具備程序化控制流速及自清潔功能，可控流速低于10nL/s。

4)能和原位樣品桿相連接提供靜態(tài)封閉工作模式。

5)芯片氣體封裝：采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險(xiǎn)，可適應(yīng)電鏡超高真空全封裝設(shè)計(jì)保證揮發(fā)、滲漏不影響電鏡安全。

6) 芯片與循環(huán)流道間采用樹脂封裝連接方式，非壓力密封，無滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

7)防爆安全閥：防止窗體破裂氣體滲漏時(shí)，造成電鏡損壞。