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儀器簡介：

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分（有機污染物）。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分（有機污染物）。(SW-12400)

?捕集單面硅晶片揮發(fā)性氣體，操作簡便。

?加熱爐采用倒懸方式（參照下圖），僅對晶片正面產(chǎn)生的氣體進行捕集采樣。

?加熱爐**可加熱到500℃。

?加熱爐封口采用O形環(huán)（聚亞胺材質(zhì)）密封，無泄露。

?一般采用PAT（內(nèi)容積10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集氣體。也可選用其他廠家的相應捕

集采樣管進行采樣。

?配備冷卻水循環(huán)裝置。

?配備防過熱裝置、聯(lián)鎖安全裝置、急停按鈕、漏水傳感器（選配）等安全防范裝置。

技術(shù)參數(shù)：

方式 ： 倒懸方式

捕集硅晶片尺寸： 8"或6"，5"以下需添加擴充環(huán)（12400型，12"）

O形環(huán)：封口部直徑220mm（聚亞胺）

石英加熱爐： 透明石英材質(zhì)

加熱爐加熱方式： 頂板?底板獨立加熱方式

加熱爐使用溫度： 常用400℃（**可達500℃）

加熱爐冷卻： 冷卻水循環(huán)裝置

保溫管： 內(nèi)表面惰性化鍍層處理

吹掃氣： 通常用氮氣，**使用流量500ml/min

防過熱裝置： 電流15A，感應電流30mA

急停按鈕： 紅色，蘑菇型

安全裝置： 聯(lián)鎖結(jié)構(gòu)

加壓方式： 電機驅(qū)動

設備尺寸： 1140(W)×1106(H)×750(D)mm

電源： 單相AC200V、15A?AC100V、20A

重量： 280　Kg

標準附件：

PAT（一級吸附管）： 2支（與其它公司捕集管不配套）

PAT架： 1個（與其它公司捕集管不配套）

PAT適配器： 1個（與其它公司捕集管配套使用）

O形環(huán)： 2個

冷卻水循環(huán)裝置： 1臺（附標準配管）

保溫管： 1支

氣體配管： 1套（1/16"-1/8"）

纜線： 1套

工具： 1套

操作說明書： 1冊

＊SW-12400型的技術(shù)規(guī)格請垂詢。

主要特點：

?用于捕集8吋和6吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分（有機污染物）。(SW-8400)

?用于捕集12吋硅晶片表面的揮發(fā)性成分（有機污染物）。(SW-12400)

?捕集單面硅晶片揮發(fā)性氣體，操作簡便。

?加熱爐采用倒懸方式（參照下圖），僅對晶片正面產(chǎn)生的氣體進行捕集采樣。

?加熱爐**可加熱到500℃。

?加熱爐封口采用O形環(huán)（聚亞胺材質(zhì)）密封，無泄露。

?一般采用PAT（內(nèi)容積10ml，填充2.5g Tenax GR）捕集氣體。也可選用其他廠家的相應捕

集采樣管進行采樣。

?配備冷卻水循環(huán)裝置。

?配備防過熱裝置、聯(lián)鎖安全裝置、急停按鈕、漏水傳感器（選配）等安全防范裝置。