參考價格
面議型號
BTF-1200C-S-SL-PECVD品牌
貝意克產(chǎn)地
安徽樣本
暫無非金屬電熱元件:
其他金屬電熱元件:
鐵鉻鋁絲燒結(jié)氣氛:
真空溫控精度:
±1℃最高溫度:
1200℃額定溫度:
1100℃看了小型滑軌式PECVD系統(tǒng)的用戶又看了
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一、設(shè)備簡介
我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實(shí)驗(yàn)腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū),輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。該款設(shè)備是全自動Plasma增強(qiáng)CVD系統(tǒng)(PECVD),系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)滑動溫區(qū),連續(xù)可控制溫度及Plasma強(qiáng)度。PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:
1、電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。
2、通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡單
二、主要基本參數(shù)
1、加熱系統(tǒng)
使用溫度 | 1200℃ |
使用溫度 | ≤1100℃ |
爐膛有效尺寸 | Φ50mm |
爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
熱電偶類型 | K型熱電偶 |
控溫精度 | ±1℃ |
控溫方式 | 30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定。 |
加熱長度 | 230mm |
恒溫長度 | 100mm |
加熱原件 | 電阻絲 |
供電電源 | 單相,220V,50Hz |
2、PE系統(tǒng)
功率輸出范圍 | 0W~150W |
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W |
諧波分量 | ≤-50dbc |
供電電壓 | 單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ |
整機(jī)效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷卻方式 | 強(qiáng)制風(fēng)冷 |
3、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)
連接頭類型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
標(biāo)準(zhǔn)量程(N2) | 50sccm,100sccm、500sccm (可根據(jù)用戶要求定制) |
準(zhǔn)確度 | ±1.5%F.S |
線性 | ±1%F.S |
重復(fù)精度 | ±0.2%F.S |
響應(yīng)時間 | 氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec |
工作壓差范圍 | 0.1~0.5 MPa |
壓力 | ≤3MPa |
接口 | Φ6,1/4'' |
顯示 | 4位數(shù)字顯示 |
工作環(huán)境溫度 | 5~45高純氣體 |
壓力真空表 | -0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
截止閥 | Φ6 |
內(nèi)外雙拋不銹鋼管 | Φ6 |
4、低真空機(jī)組
空氣相對濕度 | ≤85% |
工作環(huán)境 | 5℃~40℃ |
工作電電壓 | 220V |
抽氣速率 | 10m3/h |
極限真空 | 5X10-1Pa(空載冷態(tài)) |
工作壓力范圍 | 1.01325X105~1.33X10-2Pa |
進(jìn)氣口口徑 | KF25 |
排氣口口徑 | KF25 |
連接方式 | 采用波紋管,手動擋板閥與波紋管相連 |
暫無數(shù)據(jù)!
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后摩爾定律時代推動了碳基電子晶體管的快速發(fā)展。5G通信和云計(jì)算促進(jìn)了基于碳納米管的場效應(yīng)晶體管在電子設(shè)備中的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)關(guān)注碳基電子領(lǐng)域的最新研究熱點(diǎn),包括高頻晶體管、生物醫(yī)學(xué)傳感器和制動器、腦機(jī)