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面議型號
CVD品牌
產(chǎn)地
上海樣本
暫無金屬電熱元件：
其他燒結(jié)氣氛：
真空溫控精度：
±3℃最高溫度：
1100℃額定溫度：
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設(shè)備特點(diǎn)
1. 升降溫速度快，升溫采用環(huán)形紅外短波加熱器，*快升溫速率可達(dá)200℃/s，降溫時(shí)通過將爐膛退出，實(shí)現(xiàn)對產(chǎn)品的快速降溫；
2. 測溫采用精準(zhǔn)的S型金屬熱電偶直接測量產(chǎn)品表面，使加熱工件的溫度更加準(zhǔn)確；
3. 控制數(shù)學(xué)控制數(shù)學(xué)模型采用先進(jìn)的PID自學(xué)習(xí)模糊雙閉環(huán)控制模式，使控溫精度在快速升溫的恒溫狀態(tài)仍能保持在±3℃；
4. 功能多樣化，既可以用于材料的快速升降溫退火，也可用于化學(xué)氣相沉積（CVD）法，在鎳或銅箔上制備石墨烯的制備。
設(shè)備參數(shù)
電源 | AC380~400V，50HZ（60Hz定制） |
**功率 | 15Kw |
額定溫度 | 1100℃ |
使用溫度 | ≤1000℃ |
反應(yīng)腔室尺寸 | Φ100X200 |
溫場均勻性 | ±3℃ |
溫度控制模式 | 智能模糊全閉環(huán)PID控制 |
傳感器內(nèi)型 | S型單鉑銠 |
*快升溫速率 | 200℃/s |
降溫速率 | 1～200℃/s（通氮?dú)?，速率更快?/p> |
操作方式 | 觸摸屏控制 |
真空系統(tǒng) | 選配 |
進(jìn)出氣接口 | Φ6卡套 |
本產(chǎn)品接受非標(biāo)定制 | |
暫無數(shù)據(jù)！
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